вних носіїв в базі на кордоні області колекторної ОПЗ ( х =4.15 мкм) не падає нижче їх рівноважної концентрації. Значення щільності електронного струму відповідні такому розподілу концентрації представлені на рис. 2.61. Якщо зробити аналітичний розрахунок на основі наявних даних, то отримаємо:
, де
e - заряд електрона, рівний Кл.
n - концентрація електронів, рівна см - 3.
V x - швидкість носіїв, в ОПЗ максимальна швидкість електронів
дорівнює 107 см/с.
Звідси
А/см2
Щільність струму при y =4.213 мкм дорівнює 3360.6 А/см2. Приблизна відповідність щільності електронного струму в області ОПЗ, отримане на основі аналітичних формул, даними, отриманими в ході моделювання, ще раз підтверджує фізичну спроможність результатів роботи MicroTec.
Другий момент пов'язаний з розбіжністю в думці різних авторів відносного того, перекриває Чи ОПЗ канал польового транзистора з керуючим pn переходом цілком або ж якийсь тонкий ділянку (шнурок) залишається перекритим. Причому в теорії, що описує польовий транзистор з ізольованим затвором, всі автори одностайно сходяться на думці, що ОПЗ повністю перекриває канал. З метою перевірки був змодельований польовий транзистор з керуючим pn переходом.
2.5 Методика розрахунку напівпровідникового приладу за допомогою пакету MicroTec
На першому етапі проектування приладу необхідно чітко уявляти технологічний цикл виготовлення і вплив кожного з параметрів на структуру формованого елементу. Слід звернути увагу на те, що існує можливість створення тільки планарних структур. При створенні симетричного приладу або приладу складається їх безлічі однакових осередків, слід виділити ту частину, яка повторюється, і провести її розрахунок. Пізніше, після закінчення моделювання, можна буде отримати необхідні значення величин шляхом масштабування (послідовність однакових елементів слід розглядати як паралельно підключення - струми складаються, напруги однакові і т.д.). Таке розбиття дозволить отримати прийнятну точність без істотного збільшення часу розрахунку. У разі необхідності використання двох дифузій (наприклад, для створення бази і емітера) потрібно сформувати необхідні області за допомогою двох проектів SiDif (так як в одному проекті можна використовувати тільки один процес дифузії). Потім для створення повної структури та отримання чисельних даних легування, як і в будь-якому іншому проекті, слід використовувати MergIC. Отриманий результат необхідно проконтролювати на правильне розташування областей. Після цього можна переходити до моделювання параметрів і характеристик приладу в програмі SemSim. При цьому необхідно пам'ятати наступне: у проекті завжди повинна бути присутнім або директива Numerical solution parameters , що використовує раніше отримані дані легування, або Analitical doping data ??b >, що служить для створення профілю легування аналітичним шляхом. При описі електродів слід врахувати, що неможливе використання двох і більше електродів мають один і той же номер. Також не можна задати зміну напруги більш ніж на одному електроді в кожній з поддіректів IV-data.
Число останніх у проекті не обмежена, однак не рекомендується використання більш ніж однієї поддіректіви IV-data за раз. Це пов'язано з тим, що хоч і для кожної з IV-data будут сформовані вольт-амперні характеристики, але розподілу (див. табл. 2.1), що моделюються SemSim, будуть побудовані по відношенню тільки до останньої з них, а для решти вони будуть невідомі. Також, щоб уникнути помилок, необхідно уважно стежити за полярністю задаваемого на електродах напруги.
3. Економічна частина
Процес дослідження та впровадження нових програмних виробів включає в себе безліч різних робіт, які розбиваються на стадії і етапи. Необхідно здійснювати контроль за виконанням всіх етапів з дотриманням часових рамок.
Побудова стрічкового графіка. Найбільш широко поширення набуло планування, засноване на складанні стрічкового графіка. Стрічковий графік являє собою схематичне зображення порядку проведення та тривалості окремих етапів науково-дослідної та іншої роботи. Він дозволяє наочно отримати уявлення про послідовності та взаємозв'язку різних стадій розробки, а також може надати допомогу в плануванні термінів проведення науково-дослідної роботи в цілому. Стрічковий графік дослідження програмного комплексу MicroTec наведено в таблиці 3.1. Науково-дослідна робота складається з 9 етапів, кожен з яких відрізняється по трудомісткості. Графік відображає ті сторони робіт, що є найбільш суттєвими. Загальна тривалість становить 95 днів.
Складання кошторису витрат на дос...