ку в области зварки. Вібрації вісокої частоти, руйнуючі плівку оксиду на поверхні розділу металів в области зварки, спріяють підвіщенню якості зварних з'єднання. В
Мал. 8.4. Діодна матриця з Гнучкий виводами
В
Мал. 8.5. Схема установки транзистора з Жорсткий Сферичність виводами: 1 - вивід бази; 2 - вівідна колекторі; 3 - вивід емітера
Недолік конструкції безкорпусних напівпровідніковіх пріладів з Гнучкий виводами Полягає в трудності автоматізації процесів установки пріладів в мікросхему. Тому при збірці активних ЕЛЕМЕНТІВ широко Використовують прилади з Жорсткий виводами. Для них характерна відсутність сполучніх провідніків, что дозволяє автоматізуваті процес зварки мікросхем и підвіщіті Надійність з'єднань. На малий. 8.5. схематично показана структура установки транзистора з Жорсткий Сферичність (Кулькова) виводами. Як материал виводів застосовують мідь и срібло. Для Запобігання Дії зовнішніх чінніків кристали напівпровідніка в безкорпусная приладнав покрівають спеціальнімі захисна покриття (лаки, емалі, смоли, компаунди и ін.).
Контрольні запитання:
1. Як класіфікуються безкорпусні Напівпровідникові прилади?
2. Які існують Способи під'єднання виводів до контактних майданчиків?
3. В чому недолік конструкції безкорпусних напівпровідніковіх пріладів?
Інструкційна картка № 14 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни В«Основи електроніки та мікропроцесорної техніки В»
І. Тема: 2 Електронні прилади
2.6 Напівпровідникові інтегральні мікросхеми
Мета: Формування спожи безперервного, самостійного поповнення знань; Розвиток творчих здібностей та актівізації розумової ДІЯЛЬНОСТІ.
ІІ. Студент повинний знаті:
- Правила маркування електровакуумніх та іонніх пріладів;
- Область ! застосування пріладів.
ІІІ. Студент винен уміті:
- Розшіфровуваті Умовні позначення ламп.
ІV. Дидактичні посібники: Методичні вказівки до опрацювання. p> V. Література: [4, с. 214-215]. p> VІ. Запитання для самостійного опрацювання:
1. Маркування напівпровідніковіх інтегральніх мікросхем.
VІІ. Методичні вказівки до опрацювання: Теоретична частина. p> VІІІ. Контрольні питання для перевіркі якості засвоєння знань:
1. Що позначає КОЖЕН елемент в маркуванні електровакуумніх та іонніх пріладів?
ІХ. Підсумки опрацювання:
Підготував викладач: Бондаренко І.В.
В
Теоретична частина: Напівпровідникові інтегральні мікросхеми
План:
1. Маркування напівпровідніковіх інтегральніх мікросхем.
Література
1. Маркування напівпровідніковіх інтегральніх мікросхем
Система умовних позначені СУЧАСНИХ тіпів інтегральніх мікросхем ВСТАНОВЛЕНО ОСТ 11073915-80. У основу системи позначені покладений Літера-цифровий код. p> Перший елемент - цифра, что позначає групу інтегральної мікросхеми по конструктивно-технологічному Виконання:
1,5,6,7 - Напівпровідникові ІМС; 2,4,8 - гібрідні; 3 - Інші (плівкові, вакуумні, Керамічні). p> Другий елемент - Дві або три цифри (від 01 до 99 або від 001 до 999), вказують на порядковий номер розробки даної Серії ІМС.
Перший и другий елемент утворюють серію мікросхем. p> Третій елемент - Дві букви, что позначають функціональну підгрупу и вид мікросхеми.
1. Обчислювальні Пристрої:
ВЕ - МІКРО-ЕВМ; ВМ - мікропроцесорі; НД - Мікропроцесорні секції; ВУ - Пристрої мікропрограмного управління; ВР - функціональні розшірювачі; СБ - Пристрої сінхронізації; ВН - Пристрої управління переривані; ВВ - Пристрої управління вводу-виводу; ВТ - Пристрої управління пам'яттю; ВФ - функціональні перетворювачі ІНФОРМАЦІЇ; ВА - Пристрої сполучення з магістраллю; ВІ - часозадаючі Пристрої; ВХ - мікрокалькуляторі; ВГ - контролерів; ВК - комбіновані Пристрої; ВЖ - Спеціалізовані Пристрої; ВП - Інші. p> 2.Генераторі сігналів:
ГС - гармонійніх; ГГ - прямокутної форми; ГОЛ - лінійно - что змінюються; ГМ - шуму; ГФ - спеціальної форми; ДП - Інші. p> 3.Детектори:
ТАК - амплітудні; ДІ - імпульсні; ДС - частотні; ДФ - фазові; ДП - Інші. p> 4.Прістрої, что запам'ятовуються:
РМ - матріці ОЗУ; РУ - ОЗУ; РВ - матріці ПЗП; РЕ - ПЗП; РТ - ПЗП з можлівістю одноразового програмування; РР - ПЗП з можлівістю багатократно електричного перепрограмування; РФ - ПЗП з ультрафіолетовім стирання и ЕЛЕКТРИЧНА записом ІНФОРМАЦІЇ; РА - асоціатівні Пристрої, что запам'ятовуються; РЦ - Пристрої, что запам'ятовуються, на ЦМД; РП - Інші. p> 5.Джерела Вторинна живлення:
ЕМ - перетворювачі; ЕВ - Випрямлячі; ЄП - стабілізатори напруги безперервні; ЕТ - стабілізатори Струму; ЄК - стабілізатори напруги імпульсні; ЄУ - Пристрої управління імпульсні...
