Electron-Voltaic Effect in pn Junctions Induced by Beta-Particle Bombardment/P. Rappaport//Phys. Rev. 1954. V. 93. P. 246.
- Rappaport P. Radioactive battery employing intrinsic semiconductor/P. Rappaport//US Patent 5,973. 1956.
- Miniature Atomic Powered Battery raquo ;, Radio and TV News, V.57. May. 1957. P.160.4- Chandrashekhar MVS, Thomas Ch.I .; Li H., Spencer M.G .; Lal A. Demonstration of a 4H SiC Betavoltaic Cell//Applied Physics Letters. V. 88. N3. 2006. P. 033506. 1-3.
- Cheng Z., Zhao Z., San H .; Chen X. Demonstration of a GaN betavoltaic microbattery//Nano/Micro Engineered and Molecular Systems (NEMS). 2011. IEEE International Conference. P. 1036-1039.
- Довгий А. Л. Бета-перетворювачі енергії на основі макропористого кремнію//четвертий Міжнародна наукова конференція «Матеріали і структури сучасної електроніки», 23-24 вересня 2010 року, Мінськ, Білорусь. С.57-60.
- Sun W., Hirschman KD, Gadeken LL and Fauchet PM Betavoltaic and photovoltaic energy conversion in three-dimensional macroporous silicon diodes//Physica status solidi (a). 2007. V. 204. N 5. P. 1536-1540.
8- Sun W., Kherani N.? P., Hirschman K.? D., Gadeken L.? L. and Fauchet P.? M. A Three-Dimensional Porous Silicon pn Diode for Betavoltaics and Photovoltaics//Advanced Materials. 2005. V. 17. N 10. P. 1230-1233.
- Gadeken LL, Engel PS, Laverdure KS Apparatus for generating electrical current from radioactive material and method of making same. USA Patent. US20080199736A1. Pub. date: 21.08.2008.
- Chandrashekhar MVS, Thomas Ch.I., Spencer MG Betavoltaic cell. USA Patent. US7939986B2. Pub. date: 10.05.2011.
- Park SM, Ahn JH, Kim SI and Lee N.-E. NO-Induced Fast Chemical Dry Thinning of Si Wafer in NF3 Remote Plasmas//Journal of the Korean Physical Society. V. 54. N 3. March 2009. P. 1127-1130.
- Guo H., Zhang K., Zhang Yu., Zhang Yu., Han Ch., Shi Ya. I-layer vanadium-doped pin type nuclear battery and the preparation process thereof. USA Patent US 20140225472A1. Pub. date: 14.08.2014г.
Формула винаходу
Планарний перетворювач іонізуючих випромінювань
П1 конструкція містить слаболегірованних напівпровідникову пластину п (р) типу провідності, в якій розташована сильнолегованому п + (р +) область на поверхні якої розташований електропровідний електрод катода (анода), на верхній поверхні пластини розташована сильнолегованому р + (п +) область, що утворює з напівпровідникової пластиною р-п перехід, на поверхні р + (п +) області розташований шар ізолюючого діелектрика і електропровідний електрод анода (катода), що є радіоактивним ізотопом, що відрізняється тим, що на верхній і нижній поверхнях слаболегірованних напівпровідникової пластини - п (-р) типу провідності розташовані сильно леговані відповідно верхня і нижня горизонтальні р + (п +) області, які утворюють з пластиною р- п переходи р- i- п діода, при цьому вони з'єднані між собою вертикальною р + (п +) кільцевої областю, при цьому верхня горизонтальна р + (п +) область утворює з шаром ізолюючого діелектрика і електропровідним електродом катода (анода), МОП структуру накопичувального конденсатора, на верхній поверхні пластини також розташована п + (р +) контактна область до пластини - п (-р) типу провідності, на верхній і нижній поверхні горизонтальних р + (п +) областей розташовані, відповідно, шари верхнього і нижнього діелектрика, що містять контактні вікна, відповідно, до п + (р +) контактної області та нижньої горизонтальної р + (п +) області, на поверхні верхнього і нижнього діелектриків розташовані, відповідно, верхній і нижній шари радіоактивного ізотопу - металу, що утворюють омические контакти, відповідно, з п + (р +) контактної областю та нижньої горизонтальної р + ( п +) областю, що є електродами катода (анода) і анода (катода) відповідно р- i- п діода.
П2 Спосіб виготовлення по П1, який полягає у формуванні на поверхні напівпровідникової підкладки п (р) типу провідності шарів п + (+ р) типу і р + (п +) типу провідності, осадженні на поверхню шару п + (р +) типу провідності радіоактивного ізотопу нікелю і формуванні електрода катода (анода), що утворює з цією областю омічний контакт, осадженні на поверхню шару р + (п +) типу провідності радіоактивного ізотопу нікелю і формуванні електрода анода (катода), що утворює з цією областю омічний контакт, що відрізняється тим, що формують, вертикальну кільцеву р + (п +) область шляхом проведення першої фотолітографії, в подальшому траленні в пластині глибокої кільцевої щілини і дифузії в її поверхню домішки р + (п +) типу, створенні верхньої горизонтальної р + (п +) області шляхом проведення другої фотолітографії...
