амплітуда змінної складової напруги не повинна перевищувати постійну складову.
Конденсатори поверхневого монтажу марки К10-17В т.к. при однаковій ємності (22 мкФ) вони мають менший розмір і трохи більший діапазон робочих температур в порівнянні з імпортними аналогами типорозміру 0805. Саме від цих параметрів я відштовхувався, вибираючи конденсатори для свого пристрою, і тому саме конденсатори марки К10-17В встановлені на платі.
Таблиця 1
ТіпКорпусПредели номінальних ЕмкостейНомін. напр.Діапазон роботи t ° CМасса г.К10-17ВЦМК22 пФ - 2,2 мкФ50-60 + 1251,0 ... .60К50-35ЦМО250250-45 + 851,0 ... .60 К73-17ЦМО200 ... 1000320-50 ... + 1201 , 0 ... .60К50-17ЦМО200 ... 1000400-10 + 501,0 ... .120
Електролітичні конденсатори встановлені для монтажу в отвори (типу К50-35). Ці алюмінієві конденсатори при ідентичних параметрах мають менший розмір, ніж аналогічні імпортні конденсатори. Для схеми нам підходять конденсатори типу К10-17 і К50-35
.1.2 Обгрунтування вибору резисторів
Резистор - пасивний елемент електричного кола, в ідеалі характеризується тільки опором електричному струму, тобто для ідеального резистора в будь-який момент часу повинен виконуватися закон Ома для ділянки ланцюга: миттєве значення напруги на резисторі пропорційно току проходить через нього. На практиці ж резистори в тій чи іншій мірі володіють також паразитної ємністю, паразитної індуктивністю і нелінійністю вольтамперной характеристики. На платі необхідно встановити підлаштування резистор і термодатчик. Підлаштування резистор використовується для наладки чутливості приладу. Для даної схеми підходять резистори МЛТ - 0,125 по своєму номінальному значенню.
Випускаються промисловістю резистори одного і того ж номіналу мають розкид опорів. Значення можливого розкиду визначається точністю резистора. Випускають резистори з точністю 20%, 10%, 5%, і т. Д. Аж до 0,01%. Номінали резисторів не довільні: їх значення вибираються зі спеціальних номінальних рядів, найбільш часто з номінальних рядів E6 (20%), E12 (10%) або E24 (для резисторів з точністю до 5%), для більш точних резисторів використовуються більш точні ряди ( наприклад E48).
Резистори, що випускаються промисловістю характеризуються також певним значенням максимальної розсіюваною потужності (випускаються резистори потужністю 0,125Вт 0,25Вт 0,5Вт 1Вт 2Вт 5Вт) (Згідно ГОСТ 24013-80 і ГОСТ 10318-80 радянської радіотехнічної промисловістю випускалися резистори наступних номіналів потужностей, у Ватах, Вт .: 0.01, 0.025, 0.05, 0.062, 0.125, 0.5, 1, 2, 3, 4, 5, 8, 10, 16, 25, 40, 63, 100, 160, 250 , 500)
Таблиця 2.
ТіпDxLRнам (Ом) UмаксМЛТ 0,1252x650-2,2200МЛТ 0,54,2x11100-5,1350МЛТ 0,253x750-3200
2.1.3 Обгрунтування вибору транзисторів
Транзистор - електронний прилад з напівпровідникового матеріалу, звичайно з трьома висновками, що дозволяє вхідним сигналам управляти струмом в електричному ланцюзі. Зазвичай використовується для посилення, генерування та перетворення електричних сигналів. [1].
Транзистор напівпровідниковий прилад, призначений для посилення електричного струму та управління ім. Транзистори випускаються у вигляді дискретних компонентів в індивідуальних корпусах або у вигляді активних елементів т.зв. інтегральних схем, де їх розміри не перевищують 0,025 мм. У зв'язку з тим, що транзистори дуже легко пристосовувати до різних умов застосування, вони майже повністю замінили електронні лампи. На основі транзисторів і їх застосувань виросла широка галузь промисловості - напівпровідникова електроніка. Транзистори виготовляються в рамках інтегральної технології на одному кремнієвому кристалі (чіпі) і складають елементарний «цеглинка» для побудови мікросхем логіки, пам'яті, процесора і т. П. В даний час на одному сучасному кристалі площею 1-2 смІ можуть розміститися кілька (поки одиниці ) мільярдів МОПТ. Протягом 60 років відбувається зменшення розмірів (мініатюризація) МОПТ і збільшення їх кількості на одному чіпі (ступінь інтеграції), в найближчі роки очікується подальше збільшення ступеня інтеграції транзисторів на чіпі. Нам підходять транзистори, які можуть використовуватися для роботи в схемах підсилювачів високою, проміжної і низької частоти. За цим вибираємо транзистори КТ361Г.
Таблиця 3.
Тип транзістораСтруктураUКБ0 (В) Uko (В) Ikмах (мА) Рк Max (ВТ) h21еIкбо (мкА) Fгp (МГЦ) Кш (ДБ) КТ501Аn-p-n301,5500012,5 gt; 4100035КТ315Бn-p-n20201000,1550-350 0.5 250-КТ361Гn-p-n20201000,430-250 1 50-КТ315Еn-p-n20201000,310-350 1 150-
2.1.4 Обгрунтування вибору діодів
