Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Сілові IGBT и MOSFET транзистори

Реферат Сілові IGBT и MOSFET транзистори





al Rectifier рекомендуються наступні формули:


Cb = 15 * 2 * (2 * Qg + Igbs/f + It)/(Vcc - Vf - Vls),

It = (Ion + Ioff) * tw. br/>

де

Ion и Ioff - Струм включенням и віключення затвора,

tw = Qg/Ion - година комутації,

Qg - заряд затвора,

f - частота проходження імпульсів,

Vcc - Напруга живлення,

Vf - пряме Падіння напруги на діоді зарядного насоса (VD1 на малюнку 10.6),

Vls - пряме Падіння напруги на Іншому діоді (VD3 на малюнку 10.6),

Igbs - струм затвора в статичному режімі.

При неможлівості живлення драйвера від бутстрепної Ємності звітність, використовуват В«ПлаваючаВ» джерело живлення.


3. Драйвер трьохфазних мосту


На малюнку 7 наведена схема Підключення драйвера трьохфазних мосту IR213 * з використаних Функції захисту від перевантаження. Для цієї мети вікорістовується вхід ITR. Напруга спрацьовування захисту - 500 мВ. Для вімірювання полного Струму моста в емітерах встановлений резистор RSENSE, номінал Якого разом з дільніком R2, R3 візначає струм захисту.


В 

Малюнок 7. - Схема включення IR2130


Драйвер IR2130 Забезпечує управління MOSFET и IGBT транзисторами при напрузі до 600 В, має захист від перевантаження по Струму и от зниженя жівлячіх напруг. Схема захисту містіть польовий транзистор з відкрітім стоком для індікації несправності (FAULT). ВІН такоже має вбудований підсилювач Струму НАВАНТАЖЕННЯ, что дозволяє віробляті контрольні сигналі и сигналі зворотнього зв'язку. Драйвер формує годину затримки (tdt - deadtime) между включенням транзісторів верхнього и нижнього плеча для віключення крізніх струмів. Цею годину складає від 0,2 до 2 мкс для різніх модіфікацій.

Для правильного вікорістовування вказаної мікросхеми и создания на ее Основі надійніх схем треба враховуваті декілька нюансів.

Особлівістю драйверів IR213 * є відсутність Функції обмеження напруги на затворі при КЗ. Зх цієї причини Постійна годині ланцюжка R1C1, призначеня для затримки включенням захисту, що не винна перевіщуваті 1 мкс. Розробник винен знаті, что Відключення моста Відбудеться через 1 мкс после Виникнення КЗ, внаслідок чого струм (Особливо при активному навантаженні) может перевіщіті розрахункове значення. Для Скиданом захисту звітність, відключіті живлення драйвера або податі на входь Нижнього уровня замікаючу напругу (високого уровня). Відзначімо такоже, что среди мікросхем даної Серії є драйвер IR2137, в якому Передбачення захист по напрузі насічення верхніх транзісторів и формується необхідній годину затримки спрацьовування цього захисту. Такий захист Дуже ВАЖЛИВО для драйверів, что управляються тріфазнімі бруківку схему, оскількі при вінікненні пробою на корпус струм КЗ тече, минулої вімірювальній резистор RSENSE. У Цій мікросхемі Передбачення роздільне Підключення резісторів затвора для включення, Відключення и аварійного віключення, что дозволяє реалізуваті якнайповніші ВСІ дінамічні Особливості транзісторів з ізольованім затвором.

Струм включення/виключення для IR213 * складає 200/420 мА (120/250 мА для IR2136). Це необхідне враховуваті при віборі силових транзісторів и резісторів затвора для них. У параметрах на транзистор Указується величина заряду затвора (звичних у нК), яка візначає при даним струмі годину включення/виключення транзистора. Трівалість перехідніх процесів, пов'язаних з перемикань, винна буті менше годині затримки tdt, формувань драйвером. ! Застосування могутніх транзісторів может такоже призвести до помилковості Відкриття и Виникнення крізного Струму через ефект Міллера. Зменшення резистора затвора або вікорістовування резісторів затвора, роздільніх для процесів включенням и віключення, що не всегда вірішує проблему унаслідок недостатнього Струму віключення самого драйвера. У цьом випадка необхідне вікорістовування буферних підсілювачів.

ПЕРЕВАГА мікросхем виробництва International Rectifier є ті, что ці Пристрої здатні вітрімуваті Високі Перепаді напруги между вхідною и віхідною Частинами. Для драйверів Серії IR21 ** ця Напруга складає 500-600 В, что дозволяє управляти транзисторами в напівмостовіх и мостових схемах при жівленні від віпрямленої ПРОМИСЛОВОЇ напруги 220 В без гальванічної розв'язки. Для управління транзисторами в схемах, розрахованіх на живлення від віпрямленої напруги 380 В, International Rectifier віпускає драйвером Серії IR22 **. Ці мікросхеми Працюють при напрузі віхідної частини до 1200 В. Усі драйвери International Rectifier вітрімують Фронтом Наведеної напруги до 50 В/нс. Цею параметр назівається dv/dt immune. ВІН свідчіть про скроню стійкість до режиму защіпування, Який представляет віняткову Небезпека для імпульсніх високовольтна схем.


4. Драйвер нижнього плеча


Для управління транзисторами нижнього плеча хорошу альтернативу представляються мікросхеми, что випускають Фірмою Motorola. Структурна...


Назад | сторінка 3 з 4 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Розрахунок, конструювання плоского ремонтно-аварійного ковзаючого затвора
  • Реферат на тему: Вимірювальні трансформатори струму і напруги
  • Реферат на тему: Стабілізатори постійної напруги та струму
  • Реферат на тему: Вибір вимірювальних трансформаторів струму і напруги
  • Реферат на тему: Дослідження методів вимірювання постійного струму і напруги