Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Методички » Класифікація інтегральних мікросхем

Реферат Класифікація інтегральних мікросхем





впаки, задається мінімально можливе значення довжини тіла резистора, згідно обраної технології виготовлення. Мінімальна довжина резистора не повинна бути менше 0,5 mm. У цьому випадку при розрахунку задається l min = 0,5 mm і розраховується значення ширини резистора за формулою:


; (6)


Якщо К ф > 10, то найчастіше вибирається конфігурація резистора типу "меандр" (рис 3) . Розрахунок резистора типу "меандр" ведеться з умови мінімальної площі займаної резистором. Виходячи з технологічних можливостей задається мінімальна ширина в min = 0,2 mm, потім визначають довжину середньої лінії меандру (l ср ) за формулою:

ср = в min В· К ф (7)


В 

Виходячи з обраної технології виготовлення задається відстань між резистивними смужками (а).

При масочном методі а = 0,3 mm, при фотолітографії а = 0,1 mm. Зазвичай задається а = в. p align="justify"> Потім визначається крок ланки:

= а + в (8)


Потім знаходиться оптимальне число ланок меандру за формулою:


; (9)


якщо L = B (меандр вписується в квадрат), то оптимальне число ланок визначається за формулою:


; (10)


Площа, яку займає меандрові, визначається таким чином:


довжина L = n (a + в); (11)

ширина ; (12)


Наведений порядок розрахунку вівся при припущенні відомого питомого поверхневого опору r s .

Насправді вибір плівки досить проблемний.

На практиці r s вибирається з точки зору отримання мінімальної площі мікросхеми.

Обчислюється оптимальне значення питомої поверхневого опору за формулою:


; (13)


де R n - номінал n-го резистора;

N - число резисторів схеми.

Потім по відомим таблицями [4] вибирається матеріал з питомою поверхневим опором ( r s ) найближчим за значенням обчисленому значенню r s опт .

Для резистивних плівок найчастіше використовують хром, ніхром, Кермет з суміші хрому і моноокиси кремнію, тантал, нітрид тантал. Питомий поверхневий опір і спосіб напилення резистивних матеріалів наводиться в таблиці 1. br/>

Таблиця 1

Характеристики матеріалів плівкових резисторів

Матеріал резистивної пленкіМатеріал контактної площадки r s , W / R ном , W Спосіб нанесеніяНіхромМедь30050 Г· 30 000ТерміческійСплав МЛТ-3ММедь з подслоем ванадія50050 Г· 50 000ТерміческійКерме К-50СЗолото з подслоем ніхрома3000 5000 10001000 Г· 10000500 Г· 200 000 1000 0 Г· 10 000000ТермическийТанталАлюминий з подслоем ванадія20 Г· 100100 Г· < span align = "justify"> 10 000КатоднийНітрід танталаМедь з подслоем ніхрома100050 Г· 100 000КатоднийСплав РС 3710Золото з подслоем хрома30001000 < span align = "justify"> Г·

Назад | сторінка 3 з 11 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Розробка конструкції та технологічного процесу виготовлення дифузійного рез ...
  • Реферат на тему: Розрахунок тонкоплівкових елементів (резистора і конденсатора)
  • Реферат на тему: Розробка програми розрахунку певного інтеграла за формулою Буля за схемою п ...
  • Реферат на тему: Коробка швидкостей вертикально-фрезерного верстата зі структурною формулою ...
  • Реферат на тему: Система зовнішнього освітлення футбольного стадіону розміром: довжина 110 м ...