p> P к.доп > 0,924 Вт
f т В»600 Вј 2000 МГц
Виходячи з цих вимог, виберемо в якості вихідного транзистора транзистор КТ939А. Електричні параметри транзистора КТ939А [1]:
Статичний коефіцієнт передачі струму у схемі з ОЕ (типове значення):
b = 113
Гранична частота коефіцієнта передачі струму в схемі з ОЕ при U ке = 12В, I до = 200мА:
f Т = 3060МГц
Ємність колекторного переходу при U кб = 12В:
З U ке = 3,9 пФ
Постійна часу ланцюга ОС на ВЧ при U до = 10В, I е. = 50мА, f = 30МГц:
t з = 4,6 пФ
Граничні експлуатаційні дані транзистора КТ939:
Постійна розсіює потужність колектора
Р до = 4Вт
Робоча точка:
I до0 = 0,11 А
U ке0 = 7 В
E п = 7 В
2.3.3. Розрахунок еквівалентних схем транзистора
У даному пункті розраховуються еквівалентні схеми транзистора, низькочастотна - схема Джиаколетто і високочастотна - односпрямована модель.
1). Схема Джиаколетто [2]
а). Спочатку знайдемо З u ке , щоб знайти R б . p> Так як в довіднику З u ке знайдена при напрузі 12 В, а нам необхідна при 10 В, то використовуємо таку формулу:
, (2.8)
де З U КК1 - ємність колектор-емітерного переходу, розрахована при U ке1 ,
U ке2 - напруга, при якому необхідно знайти З U КК2 .
Підставимо чисельні значення в формулу (2.8):
Ф.
Тепер знайдемо R б за формулою:
(2.9)
Підставимо чисельні значення:
Ом.
б). Опір емітера
Ом. (2.10)
Тут I е - в милі Амперах.
в). Провідність база-емітер
Ом -1 . (2.11)
г). Ємність емітерного переходу
Ф. (2.12)
д). Крутизна
(2.13)
(2.14)
е). p> Ом. (2.15)
ж). Згідно з формулою (2.8):
Ф.
Елементи схеми Джиаколетто:
g б = 0,934 Ом -1
g бе = 16,8 Г— 10 -3 Ом -1
g i = 13,3 Г— 10 -3 Ом -1
C е = 100 пФ
З до = 5,1 пФ
В
Малюнок 2.5 - Еквівалентна схема Джиаколетто
2). Односпрямована модель [3]
L вх = L е + L б = 0,2 +1 = 1,2 нГн
R вх = r б = 1,07 Ом
R вих = R i = g i -1 = 75,2
З вих = З до = 5,1 пФ
В
Малюнок 2.6 - Односпрямована модель
2.3.4. Розрахунок ланцюгів живлення і термостабілізації
1). Емітерна термостабилизация [4]
Знайдемо потужність, що розсіюється на R е :
Робоча точка: I до0 = 0,11 А
U ке0 = 7 В
Для ефективної термостабілізації падіння напруги на R е має бути близько 3-5В. Візьмемо U е = 3В. Тоді потужність, що розсіюється на R е обумовлена ​​виразом (2.16), дорівнює:
Вт (2.16) В
Малюнок 2.7 - Схема кінцевого каскаду з емітерний термостабілізацією
Знайдемо необхідне Е п для даної схеми:
Е п = U R е + U ке0 + U R до = 3 +7 +0 = 10 В. (2.17)
Розрахуємо R е , R б1 , R б2 :
Ом, (2.18)
мА, (2.19)
струм базового подільника:
I д = 10 Г— I б = 9,73 мА, (2.20)
Ом, (2.21)
Ом. (2.22)
Знайдемо L до , виходячи з умов, що на нижній частоті смуги пропускання її опір багато більше опору навантаження. ...
