p>.
Цим вимогам повністю відповідає транзистор КТ934Б. Його основні технічні характеристики наведені нижче. [1]
Електричні параметри:
1. Гранична частота коефіцієнта передачі струму в схемою з ОЕ МГц;
2. Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку при У пс;
3. Статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з ОЕ;
4. Ємність колекторного переходу при В пФ;
5. Індуктивність виведення бази нГн;
6. Індуктивність виведення емітера нГн. p> Граничні експлуатаційні дані:
1. Постійна напруга колектор-емітер В;
2. Постійний струм колектора А;
3. Постійна розсіює потужність колектора Вт;
3.3.3 Розрахунок еквівалентної схеми транзистора
Існує багато різних моделей транзистора. У даній роботі проведений розрахунок моделей: схеми Джиаколетто і односпрямованої моделі на ВЧ.
У Відповідно до [2, 3,], наведені нижче співвідношення для розрахунку підсилювальних каскадів засновані на використанні еквівалентної схеми заміщення транзистора наведеної на малюнку 3.3.7, або на використанні його односпрямованої моделі [2, 3] наведеною на малюнку 3.3.8
А) Розрахунок схеми Джиаколетто:
Схема Джиаколетто представлена ​​на малюнку 3.3.7.
В
Малюнок 3.3.7 Схема Джиаколетто.
Знайдемо за допомогою постійної часу ланцюга зворотного зв'язку опір базового переходу по формулою:
(2.9)
При чому і доложно бути виміряні при одному напрузі Uке. А так як довідкові дані наведені при різних напряжно, необхідно скористатися формулою переходу, кото дозволяє обчислити при будь-якому значенні напруги Uке:
(2.10)
в нашому випадку:
В
Підставимо отримане значення в формулу:
, тоді
Знайдемо значення решти елементів схеми:
, де (2.11)
- опір еміттеного переходу транзистора
Тоді
Ємність емітерного переходу:
Вихідна сопртівленія транзистора:
(2.12)
(2.13)
В
Б) Розрахунок односпрямованої моделі на ВЧ:
Схема односпрямованої моделі на ВЧ представлена ​​на малюнку 3.3.8 Опис такої моделі можна знайти в [3]. <В
Малюнок 3.3.8 однонаправлена ​​модель транзистора
Параметри еквівалентної схеми розраховуються за наведеними нижче формулами.
Вхідна індуктивність:
,
де-індуктивності висновків бази і емітера, які беруться з довідкових даних.
Вхідна опір:
, (3.3.4)
Вихідна опір має таке ж значення, як і в схемі Джиаколетто:
.
Вихідна ємність- це значення ємності обчислене в робочій точці:
.
3.3.4 Розрахунок ланцюгів термостабілізації
При розрахунку ланцюгів термостабілізації потрібно для початку вибрати варіант схеми. Існує кілька варіантів схем термостабілізації: пасивна колекторна, активна колекторна і емітерний. Їх використання залежить від потужності каскаду і від того, наскільки жорсткі вимоги до термостабільності. Розглянемо ці схеми. br/>
3.3.4.1 емітерний термостабілізація
емітерних стабілізація застосовується в основному в малопотужних каскадах і є достачно простий в розрахунку і при цьому ефективною. Схема емітерний термостабілізації наведена на малюнку 3.3.9. Метод розрахунку та аналізу емітерний термостабілізації докладно описаний в [4].
В
Малюнок 3.3.9 еммітерной термостабилизация
Розрахунок проводиться за такою схемою:
1.Вибіраются напруга емітера і струм дільника, а також напруга живлення;
2. Потім розраховуються. p> Напруга емітера вибирається рівним. Струм дільника вибирається рівним, де - базовий струм транзистора і обчислюється за формулою:
мА. p> А
Враховуючи те, що в колекторної ланцюга відсутній резистор, то напруга живлення розраховується за формулою В. Розрахунок величин резисторів проводиться за такими формулами:
Ом;
Ом;
Ом;
3.3.4.2 Активна колекторна термостабилизация
Активна колекторна термостабилизация використовується в потужних каскадах і є досить ефективною, її схема представлена ​​на малюнку 3.3.10. Її опис і розрахунок можна знайти в [5].
В
Малюнок 3.3.10 Схема активної колекторної термостабілізації. br/>
Як VT1 візьмемо КТ814А. Вибираємо падіння напруги на резистори з умови (нехай В), тоді. Потім виробляємо наступний розрахунок:
, (3.3.11)
; (3.3.12)
; (3.3.13)
; (3.3.14)
, (3.3.15)
де - статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з ПРО транзистора КТ814;
; (3.3.16)
; (3.3.17)
. (3.3.18)
Отримуємо наступні значення:
Ом;
мА;
В;
А;
А;
Ом;
Ом.
В
Величина індуктивності дроселя вибирається таким чином, щоб змінна складова струму не заземляється через джерело живлення, а в...