Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Підсилювач потужності для 1-12 каналів TV

Реферат Підсилювач потужності для 1-12 каналів TV





p>.

Цим вимогам повністю відповідає транзистор КТ934Б. Його основні технічні характеристики наведені нижче. [1]

Електричні параметри:

1. Гранична частота коефіцієнта передачі струму в схемою з ОЕ МГц;

2. Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку при У пс;

3. Статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з ОЕ;

4. Ємність колекторного переходу при В пФ;

5. Індуктивність виведення бази нГн;

6. Індуктивність виведення емітера нГн. p> Граничні експлуатаційні дані:

1. Постійна напруга колектор-емітер В;

2. Постійний струм колектора А;

3. Постійна розсіює потужність колектора Вт;


3.3.3 Розрахунок еквівалентної схеми транзистора


Існує багато різних моделей транзистора. У даній роботі проведений розрахунок моделей: схеми Джиаколетто і односпрямованої моделі на ВЧ.

У Відповідно до [2, 3,], наведені нижче співвідношення для розрахунку підсилювальних каскадів засновані на використанні еквівалентної схеми заміщення транзистора наведеної на малюнку 3.3.7, або на використанні його односпрямованої моделі [2, 3] наведеною на малюнку 3.3.8

А) Розрахунок схеми Джиаколетто:

Схема Джиаколетто представлена ​​на малюнку 3.3.7.

В 

Малюнок 3.3.7 Схема Джиаколетто.


Знайдемо за допомогою постійної часу ланцюга зворотного зв'язку опір базового переходу по формулою:

(2.9)

При чому і доложно бути виміряні при одному напрузі Uке. А так як довідкові дані наведені при різних напряжно, необхідно скористатися формулою переходу, кото дозволяє обчислити при будь-якому значенні напруги Uке:

(2.10)

в нашому випадку:

В 

Підставимо отримане значення в формулу:

, тоді

Знайдемо значення решти елементів схеми:

, де (2.11)

- опір еміттеного переходу транзистора

Тоді

Ємність емітерного переходу:

Вихідна сопртівленія транзистора:

(2.12)

(2.13)

В 

Б) Розрахунок односпрямованої моделі на ВЧ:

Схема односпрямованої моделі на ВЧ представлена ​​на малюнку 3.3.8 Опис такої моделі можна знайти в [3]. <В 

Малюнок 3.3.8 однонаправлена ​​модель транзистора


Параметри еквівалентної схеми розраховуються за наведеними нижче формулами.

Вхідна індуктивність:

,

де-індуктивності висновків бази і емітера, які беруться з довідкових даних.

Вхідна опір:

, (3.3.4)

Вихідна опір має таке ж значення, як і в схемі Джиаколетто:

.

Вихідна ємність- це значення ємності обчислене в робочій точці:

.


3.3.4 Розрахунок ланцюгів термостабілізації


При розрахунку ланцюгів термостабілізації потрібно для початку вибрати варіант схеми. Існує кілька варіантів схем термостабілізації: пасивна колекторна, активна колекторна і емітерний. Їх використання залежить від потужності каскаду і від того, наскільки жорсткі вимоги до термостабільності. Розглянемо ці схеми. br/>

3.3.4.1 емітерний термостабілізація


емітерних стабілізація застосовується в основному в малопотужних каскадах і є достачно простий в розрахунку і при цьому ефективною. Схема емітерний термостабілізації наведена на малюнку 3.3.9. Метод розрахунку та аналізу емітерний термостабілізації докладно описаний в [4].

В 

Малюнок 3.3.9 еммітерной термостабилизация


Розрахунок проводиться за такою схемою:

1.Вибіраются напруга емітера і струм дільника, а також напруга живлення;

2. Потім розраховуються. p> Напруга емітера вибирається рівним. Струм дільника вибирається рівним, де - базовий струм транзистора і обчислюється за формулою:

мА. p> А

Враховуючи те, що в колекторної ланцюга відсутній резистор, то напруга живлення розраховується за формулою В. Розрахунок величин резисторів проводиться за такими формулами:

Ом;

Ом;

Ом;


3.3.4.2 Активна колекторна термостабилизация


Активна колекторна термостабилизация використовується в потужних каскадах і є досить ефективною, її схема представлена ​​на малюнку 3.3.10. Її опис і розрахунок можна знайти в [5].

В 

Малюнок 3.3.10 Схема активної колекторної термостабілізації. br/>

Як VT1 візьмемо КТ814А. Вибираємо падіння напруги на резистори з умови (нехай В), тоді. Потім виробляємо наступний розрахунок:

, (3.3.11)

; (3.3.12)

; (3.3.13)

; (3.3.14)

, (3.3.15)

де - статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з ПРО транзистора КТ814;

; (3.3.16)

; (3.3.17)

. (3.3.18)

Отримуємо наступні значення:

Ом;

мА;

В;

А;

А;

Ом;

Ом.

В 

Величина індуктивності дроселя вибирається таким чином, щоб змінна складова струму не заземляється через джерело живлення, а в...


Назад | сторінка 3 з 10 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок МДП-транзистора з індукованим каналом
  • Реферат на тему: Розрахунок однокаскадного підсилювача біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок параметрів кремнієвого інтегрального МДП-транзистора