Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Підсилювач потужності 1-5 каналів ТБ

Реферат Підсилювач потужності 1-5 каналів ТБ





живлення.


3.3.2 Вибір транзистора


Вибір транзистора здійснюється з урахуванням таких граничних параметрів [2]:

1. граничної частоти підсилення транзистора по струму в схемою з ОЕ

;

2. гранично допустимої напруги колектор-емітер

;

3. гранично допустимого струму колектора

;

4. граничної потужності, що розсіюється на колекторі

.

Цим вимогам повністю відповідає транзистор КТ930Б. Його основні технічні характеристики взяті з довідника [3] і наведені нижче.

Електричні параметри:

1. Гранична частота коефіцієнта передачі струму в схемою з ОЕ МГц;

2. Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку при У пс;

3. Статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з ОЕ;

4. Ємність колекторного переходу при В пФ;

5. Індуктивність виведення бази нГн;

6. Індуктивність виведення емітера нГн. p> Граничні експлуатаційні дані:

1. Постійна напруга колектор-емітер В;

2. Постійний струм колектора А;

3. Постійна розсіює потужність колектора Вт;




3.3.3 Розрахунок еквівалентної схеми транзистора


Існує багато різних моделей транзистора. У даній роботі проведений розрахунок моделей: схеми Джиаколетто і односпрямованої моделі на ВЧ.

А) Розрахунок схеми Джіакалетто:

Схема Джіакалетто представлена ​​на малюнку 3.3.5.


В 

Малюнок 3.3.5 Схема Джіакалетто.


Знайдемо за допомогою постійної часу ланцюга зворотного зв'язку опір базового переходу за формулою:

(3.3.9)

При чому іВ  доложно бути виміряні при одному напрузі Uке. А так як довідкові дані наведені при різних напругах, необхідно скористатися формулою, яка дозволяє обчислити при будь-якому значенні напруги Uке:

, (3.3.10)

в нашому випадку:

В 

Підставимо отримане значення в формулу (3.3.9):

, тоді

Використовуючи формулу (3.3.10), знайдемо значення колекторної ємності в робочій точці:

В 

Знайдемо значення решти елементів схеми:

, (3.3.11)

де

(3.3.12)

- опір еміттеного переходу транзистора. Тоді:

Ємність емітерного переходу:

Вихідний опір транзистора:

(3.3.13)

(3.3.14)

(3.3.15)

Б) Розрахунок односпрямованої моделі на ВЧ:

Схема односпрямованої моделі на ВЧ представлена ​​на малюнку 3.3.6. Опис цієї моделі можна знайти в журналі [4]. <В 

Малюнок 3.3.6 Схема односпрямованої моделі на ВЧ


Параметри еквівалентної схеми розраховуються за наведеними нижче формулами.

Вхідна індуктивність:

, (3.3.16)

де-індуктивності висновків бази і емітера, які беруться з довідкових даних.

Вхідна опір:

, (3.3.17) p> Вихідна опір має таке ж значення, як і в схемі Джіакалетто:

. p> Вихідна ємність- це значення ємності обчислене в робочій точці:

. br/>

3.3.4 Розрахунок ланцюгів термостабілізації


При розрахунку ланцюгів термостабілізації потрібно для початку вибрати варіант схеми. Існує кілька варіантів схем термостабілізації: пасивна колекторна, активна колекторна і емітерний. Їх використання залежить від потужності каскаду і від того, наскільки жорсткі вимоги до термостабільності. У даній роботі розглянуті дві схеми: емітерна і активна колекторна стабілізації. br/>

3.3.4.1 емітерний термостабілізація


емітерна стабілізація застосовується в основному в малопотужних каскадах, і отримала найбільш широке поширення. Схема емітерний термостабілізації наведена на малюнку 3.3.7. Зробимо спрощений розрахунок цієї схеми [2]. br/>В 

Малюнок 3.3.7 Принципова схема емітерной термостабілізації


Розрахунок проводиться за такою схемою:

1.Вибіраются напруга емітера і струм дільника (див. рис. 3.4), а також напруга живлення;

2. Потім розраховуються. p> Напруга емітера вибирається рівним порядку. Струм дільника вибирається рівним, де - базовий струм транзистора і обчислюється за формулою:

(мА); (3.3.18)

Тоді:

А (3.3.19)

Враховуючи те, що в колекторної ланцюга відсутній резистор, то напруга живлення розраховується за формулою: (В); (3.3.20)

Розрахунок величин резисторів проводиться за наступними формулами:

Ом; (3.3.21)

(Ом); (3.3.22)

(Ом); (3.3.23)

Дана методика розрахунку не враховує безпосередньо заданий діапазон температур навколишнього середовища, однак, в діапазоні температур від 0 до 50 градусів для расчитанной подібним образом схеми, результуючий догляд струму спокою транзистора, як правило, не перевищує (10-15)%, тобто схема має цілком прийнятну стабілізацію [2]. br/>

3.3.4.2 Активна колекторна термостабилизация


Активна колекторна термостабилизация використовується в потужних каскадах і є досить ефективною,...


Назад | сторінка 3 з 11 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок параметрів кремнієвого інтегрального МДП-транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок МДП-транзистора з індукованим каналом
  • Реферат на тему: Розрахунок однокаскадного підсилювача біполярного транзистора