ра при Uке (пасп).
rб == 2,875 (Ом); gб == 0,347 (Cм), де
rб-опір бази,
-довідкове значення постійної ланцюга зворотного зв'язку.
rе === 0,763 (Ом), де
Iк0 в мА,
rе-опір емітера.
gбе === 0,023, де
gбе-провідність база-емітер,
-довідкове значення статичного коефіцієнта передачі струму в схемі з загальним емітером.
Cе === 41,7 (пФ), де
Cе-ємність емітера,
fт-довідкове значення граничної частоти транзистора при якої = 1
Ri == 100 (Ом), де
Ri-вихідний опір транзистора,
Uке0 (доп), Iк0 (доп)-відповідно паспортні значення допустимої напруги на колекторі і постійної складової струму колектора.
gi = 0.01 (См).
2.2.2.2Расчет односпрямованої моделі транзистора.
В
Дана модель застосовується в області високих частот [4].
Малюнок 2.2.2.2.1- Односпрямована модель транзистора. br/>
Lвх = Lб + Lе = 1 +0,183 = 1,183 (нГн), де
Lб, Lе-довідкові значення індуктивностей базової і емітерного висновків відповідно,
Lвх-індуктивність входу транзистора.
Rвх = rб = 2,875 (Ом), де
Rвх-вхідний опір транзистора.
Rвих = Ri = 100 (Ом), де
Rвих-вихідний опір транзистора.
Свих = Ск (треб) = 2,26 (пФ), де
Свих-вихідна ємність транзистора.
fmax = fт = 5 (ГГц), де
fmax-гранична частота транзистора.
2.2.3 Розрахунок і вибір схеми термостабілізації. br/>
2.2.3.1 Емітерних термостабилизация. br/>
емітерних термостабилизация широко використовується в малопотужних каскадах, оскільки втрати потужності в ній при цьому не значні і її простота виконання цілком їх компенсує, а також вона добре стабілізує струм колектора в широкому діапазоні температур при напрузі на емітер більш 3В [3
В
p> Малюнок 2.2.3.1.1-Схема каскаду з емітерной термостабілізацією. br/>
Розрахуємо параметри елементів даної схеми.
Візьмемо напруга на емітері рівним Uе = 4 (В);
Eп = Uке0 + Uе = 9 (В);
Опір в ланцюзі емітера дорівнюватиме:
Rе === 66 (Ом);
Rб1 =, Iд = 10 Г— Іб, Іб =, Iд = 10 Г— = 10 Г— = 0,012 (А), де
Rб1-опір базового подільника,
Iд-ток базового подільника,
Іб-струм бази.
Rб1 == 416,7 (Ом);
Rб2 == 391,6 (Ом). p> Поряд з емітерной термостабілізацією використовуються пасивна та активна колекторна термостабілізації.
В
2.2.3.2 Пасивна колекторна:
Малюнок 2.2.3.2.1- Схема пасивної колекторної термостабілізації. br/>
З використанням [3].
Rк = 50 (Ом);
URк = Iк0 Г— Rк = 3,3 (В), де
URк-падіння напруги на Rк.
Eп = Uке0 + URк = 8,3 (В);
Iд = 0,012 (А);
Rб == 360 (Ом).
Струм бази визначається Rб. При збільшенні струму колектора напруга в точці А падає, і отже зменшується струм бази, а це не дає збільшуватися далі току колектора. Але щоб став змінюватися струм бази, напруга в точці А має змінитися на 10-20%, тобто Rк повинно бути дуже велике, що виправдовується тільки в малопотужних каскадах. Але в силу того, що ми будемо застосовувати перехресні зворотні зв'язки, дана схема нам не підходить.
2.2.3.3 Активна колекторна термостабілізація. br/>
Можна зробити щоб Rб залежало від напруги в точці А див. рис. (2.2.3.2.1). Отримаємо що при незначному зменшенні (Збільшенні) струму колектора значно збільшиться (зменшиться) струм бази. І замість великого Rк можна поставити менше на якому б падало порядку 1В [3] див. рис. (2.2.3.3.1).
Статичний коефіцієнт передачі по струму другого транзистора b2 = 50;
Rк === 15,15 (Ом);
Eп = Uке0 + URк = 5 +1 = 6 (В);
Напруга на базі другого транзистора дорівнюватиме:
UБ2 = Uке0-0, 7 = 5-0,7 = 4,3 (В);
Струм колектора другого транзистора дорівнюватиме:
Iк2 = Iд1 = 0,012 (А);
Iд2 = 10 Г— Iб2 = 10 Г— == 0.0024 (A), де
Iд2, Iб2-токі базового подільника та бази другого транзистора відповідно.
R3 === 708,3 (Ом);
R1 === 1,792 (кОм);
Напруга в робочій точці другого транзистора дорівнюватиме;
R2 === 1500 (Ом).
В
Малюнок 2.2.3.3.1-Активна колекторна термостабилизация.
Ця схема вимагає значну кількість додаткових елементів, у тому числі і активних. Якщо Сф втратить свої властивості, то каскад самовозбудітся і буде посилювати, а генерувати, тобто даний варіант не бажаний, оскільки параметри підсилювача повинні якомога менше залежати від зміни параметрів його елементів, за завданням. Грунтуючись на проведеному вище аналізі схем термостабілізації виберемо емітерних. br/>
2.3 Розрахунок підсилювача.
Оскільки ми будемо використовувати перехресні зворотні [1], [3], то всі відповідні елементи схеми будуть однакові, тобто по суті с...
