2.3 Вхідні характеристики транзистора КТ 325А
в) Величину падіння напруги на резистори Rе приймаємо рівною 0,2 Ек, визначаємо Rе:
.
Приймаються Rе = 270 Ом;
г) визначаємо Rk
В
Приймаються Rk = 420 Ом;
д) на вхідну характеристику транзистора (рис. 2.3) наносимо робочу точку транзистора і визначаємо падіння напруги між емітером і базою в режимі спокою. U0бе? 0,6 В.
е) задаємося величиною наскрізного струму дільника Iд, що протікає через послідовно включені резистори R1 і R2. Приймаються Iд = 20 * I0б. Iд = 20 * 0,08 = 1,6 мА. p> ж) визначаємо R2:
В
приймаємо R2 = 2.1кОм;
з) визначаємо R1:
В
приймаємо R1 = 6.3kОм.
. Визначення коефіцієнта нестабільності каскаду:
а) визначаємо величину Rд:
.
б) визначаємо коефіцієнт посилення транзистора:
В
в) визначаємо коефіцієнт нестабільності:
В
. Визначення підсилюючих параметрів каскаду:
а) за вхідний характеристиці (рис. 2.3) визначаємо вхідний опір транзистора як котангенс кута нахилу дотичній до цієї характеристики:
кОм.
б) Визначаємо вхідний опір каскаду як еквівалентний опір трьох паралельно включених R1, R2, Rвх
.
в) визначаємо еквівалентний опір навантаження каскаду по змінному струму:
В
г) визначаємо коефіцієнт посилення каскаду по струму з урахуванням шунтуючого впливу вхідних і вихідних ланцюгів підсилювача:
В
д) визначаємо коефіцієнт посилення по напрузі:
В
е) визначаємо коефіцієнт посилення по потужності:
В
ж) визначаємо вихідний опір підсилювача, як паралельне з'єднання вихідного опір rвих транзистора і опору в ланцюзі колектора Rвих = rвих/Rk.
З огляду на те, що зазвичай rвих>> Rk, можна вважати Rвих = Rk = 420 Ом.
. Розрахунок ємностей у схемі каскаду:
а) визначаємо С. Хс1 приймаємо 0,1 Rвх. Звідси
.
Приймаються С1 = 4,7 мкФ;
б) визначаємо Се, вважаючи ХСЕ = 0,1 Rе:
.
Приймаються Се = 10мкФ.
. Побудова лінії навантаження каскаду по постійному струму. p> Лінія навантаження по постійному струму являє собою графічну залежність між складовими струму колектора і напруги колектор-емітер, відображену формулою
Лінія навантаження будується на сімействі вихідних характеристик транзистора (рис.2.3) слід. чином:
а) визначають точку, відповідну режиму холостого ходу колекторної ланцюга (Ik xx = 0);
В
Дана точка лежить на осі абсцис на відстані, рівному Ек від центру координат;
б) визначаємо точку, соотв. КЗ ланцюзі колектора (Uкекз = 0):
В
Крапку к.з. відкладають на осі ординат на відстані, рівному Ikкз від центру координат;
в) будують лінію навантаження по постійному струму як пряму, що з'єднує точку холостого ходу з точкою короткого замикання.
(см.ріс.2.3)
. Побудова лінії навантаження по змінному стру...
