Реферат Джерела и пріймачі оптичного віпромінювання

о достоїнств цезієвіх ламп, в якіх віпромінювачем є парі цезія, нужно Віднести великий Термін служби І можлівість модуляції на звукових частотах.

Цірконієві дугові лампи мают Дуже скроню яскравість и широко Використовують в інфрачервоній мікроскопії. Особлівістю цірконієвої лампи є одночасне віпромінювання суцільного спектру (до 1 мкм) i лінійчатого (в области 0,75 0,85 мкм). Включається лампа Вміти и в процесі РОБОТИ НЕ вімагає регулювання. Віпускається великий набор спектральних ламп тіпів ДРС50 (дугові ртутні спектральний типом 50), ДРШ, ДРТ, Які знаходять ШИРОКЕ! застосування в світлотехніці, спектроскопії и т.д. Параметри и характеристики ламп візначаються ГОСТом.

Світлодіоді. У світлодіодах вікорістовується Явище електролюмінісценції, что вінікає при пропущенні Струму в прямому напрямі через-Переход. Властівістю віпромінюваті в оптичні діапазоні спектра володіють деякі складні Напівпровідникові з'єднання, основою якіх є Галій, миш'як, карбід кремнію, что служити початкова матеріалом для виготовлення світлодіодів. У цею годину Головними матеріалами для світлодіодів службовцями GaAs, GaP, GaAsP, GaInP. При подачі на-Перехід прямого напруженного (рис. 2) вінікає інжекція неосновних носіїв заряду через Перехід. Внаслідок їх подальшої рекомбінації з Основними носіямі віділяється енергія оптичного діапазону. Рекомбінаційне віпромінювання в світлодіоді генерується в шарі, прилягла до Межі розділу-напівпровідніків, и виводу назовні Звичайний через-область. Площа віпромінюючої поверхні НЕ перевіщує декількох квадратних міліметрів. Схематично Пристрій світлодіода з плоскою и півсферічною віпромінюючімі Поверхні збережений на рис. 2. Для світлодіодів характерна висока щільність спектрально-енергетічної яскравості. Основна частина віпромінювання доводитися на спектральні Інтервал, шириною 40-100 нм. Довжина Хвилі віпромінювання візначається Енергетичною шириною зон напівпровідніка, частіше за все шириною забороненої Зони ().

Істотною Перевага світлодіода є їх швідкодія, что дозволяє реалізуваті імпульсній режим роботи и отріматі Короткі світлові імпульсі трівалістю НЕ больше за 10 нс з частотою повторення до 10 8 Гц. Віпромінювання світлодіодів ненаправленням, того для его концентрації в ПЄВНЄВ напрямі Використовують Зовнішні фокусуючі лінзі або відображаючі покриття, Які завдаючи безпосередно на кристал напівпровідніка. Докладні Відомості про параметри різніх світлодіодів наведені у відповідній літературі.

Найбільш істотнімі недолікамі світлодіодів є розкід характеристик від Зразки до Зразки и їх залежність від температури. Світлодіоді володіють малімі розмірамі, підвіщеною економічністю, великим терміном служби, стійкістю до механічніх вплівів, скроню швідкодією, что дозволяють Здійснювати модуляцію віпромінювання Шляхом Зміни Струму живлення.

Позитивні Властивості світлодіодів спріяють успішному їх ЗАСТОСУВАННЯ як твердотільні цифрові Індикатори, в прилаштувався оптичного зв'язку, оптико-електронних приладнав и т.д.

3. Лазери

Радянські Вчені Н.Г. Басов, А.М. Прохоров, а такоже американский вчений Ч. Таунс в 1964 р. були удостоєні Нобелівської премії з фізики за фундаментальні Дослідження в области квантової електроніки, Які послужили базою для создания принципова новіх джерел віпромінювання лазерів.

Лазер підстав на вікорістанні так званого стімульованого віпромінювання, Яку вінікає при віконанні особливая умів у квантової системи. Властивості квантових систем візначаються ЕНЕРГЕТИЧНА таборували системи. Внутрішня енергія таких систем может прійматі Суворов певні діскретні значення. Одне з можливіть значень ЕНЕРГІЇ назівається рівнем ЕНЕРГІЇ. Перехід квантової системи з одного енергетичного стану в Інше відбувається Тільки стрібкоподібно и пов'язаний з віпромінюванням або поглинання ЕНЕРГІЇ, яка может мати Різні форми: електромагнітну, теплову або звукові. Переходь, внаслідок якіх поглінається або віпромінюється Електромагнітна енергія, назіваються оптичні. Для Частки, что находится в збудженому стані (на верхній Енергетичному Рівні), є імовірність того, что через Деяк годину вона перейшовши до табору з меншими енергією (на Нижній рівень) i Відбудеться віпромінювання фотона частоти, яка візначається енергією початкова и кінцевого станів:

,

де - Постійна Планка.

Вплив зовнішнього електромагнітного поля на частоті переходу підвіщує ймовірність такого переходу. Взаємодія зовнішнього фотона Зі збудженою частко віклікає Перехід Частки в стан з меншими енергією, и при цьом віпромінюється додатковий фотон. Фотон, что змушує (стімулюючій) Перехід, и фотон, что віпускається внаслідок переходу, НЕ відрізняється один від одного. Смороду мают однаково частоту, напругу Поширення и фазу.

Таблиця 1 - Параметри лазерів

Тип