й точці
; (15)
- струм емітера в робочій точці
. (16)
Таблиця 3
Найменш. ПараметраЕд. ізм.Наіменованіе транзистора (npn) 2SC18152SC20012SC21202SC26652N17112N2222А2N2923U кб max В60303550756025U ке max < span align = "justify"> В50253050503025I до max А0, 150,70,820,50,80,1 P < span align = "justify"> до max Вт0, 40,60,60,90,80,50,36 f Т МГц805012010070250100 ? -5020018013075150100 ? ос псек30025001300300025004801000С до пФ325133025810Наіменов. ПараметраЕд. ізм.Наіменованіе транзистора (npn) 2N39032N44002N41232N42642N52232N52322N5769U кб max В60604030257040U ке max В40403015205015I до max А0, 20,60,20,20,10, 10,2 P до max Вт0, 6250,6250,310,350,6250,330,35 f Т МГц25020025030015050100 ? -5080807020030040 < span align = "justify">? ос псек400650400400400400400С до пФ46, 544444 Примітка: Ємність колекторного переходу С до наведена для випадку коли напруга колектор-база U кб ном одно 10 В.
3. Розрахунок еквівалентних параметрів транзистора
При використанні транзисторів до (0,2 ... 0,3) можливе використання спрощених еквівалентних моделей транзисторів, параметри елементів яких легко визначаються на основі довідкових даних. Еквівалентна схема біполярного транзистора, включеного за схемою з ОЕ, наведена на малюнку 3. <В
Рисунок 3 - Еквівалентна схема біполярного транзистора, включеного за схемою з ОЕ
Визначити на основі довідкових даних транзистора:
- розподілене опір бази
, (17)
де - постійна часу ланцюга внутрішнього зворотного зв'язку в транзисторі на ВЧ; - ємність колекторного переходу при (паспортні дані);
