/Span> Використовуємо оксидную ізоляцію Xсс = 0.3 мкм. Визначаємо товщину епітаксійного шару.
(мкм). (8)
. Враховуючи, що в наближенні малої інжекції ? = La Г— Xi/Ld Г— Wba обчислюємо час життя неосновних дірок в базі поблизу емітерного переходу.
. (9)
. (10)
. Оцінюємо технологічну ширину бази по співвідношенню. br/>
(мкм). (11)
. Визначаємо концентрацію акцепторів на емітерний перехід. br/>
(см-3). (12)
13. Так як область емітера сильно легована, то можна вважати, що область об'ємного заряду буде в основному зосереджена в базі. br/>
(мкм). (13)
. (14)
. Уточнюємо технологічну ширину бази. br/>
(мкм). (15)
. Визначаємо ширину активної бази. br/>
(16)
(мкм). (17)
(18)
. Перевіряємо величину ?. Для цього обчислити коефіцієнт D дірок в базі поблизу емітерного переходу.
(19)
(20)
4. Розрахунок характеристик МДП-транзистора
Вихідні параметри:
q = 1,6 Г— 10-19 Кл - заряд електрона.
NA = 1 Г— 1015 см-3 - концентрація легуючої домішки. = 2 мкм - ширина каналу. = 0,5 мкм - глибина p-n + - переходів.
Cox = 4 Г— 10-8 Ф/см2 - питома ємність подзатворного діелектрика. = 2 мкм - довжина каналу. `пір = 0,8 В.
СЗК = 4,8 Г— 10-8 Ф/см2 - питома ємність затвор-канал.
? nS = 750 см2 Г— В-1 Г— з-1 - поверхнева рухливість електронов.З = 3 В - напруга на затворі. = 0,3 В - напруга на стоці .
Обчислимо зміна порогов...
