Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » Підсилювач широкосмуговий

Реферат Підсилювач широкосмуговий





а

зворотний струм колектора


2.1.1 Розрахунок режиму транзистора

Вихідний каскад виконаємо за схемою реостатного каскаду (рис. 4.1.1)


В 

Малюнок 2.1.1 - Схема вихідного каскаду


Зробимо вибір положення робочої точки.


В 

Малюнок 2.1.2 Вхідна і вихідна характеристики транзистора


В 

де - початкова напруга нелінійного ділянки.


(4.1.5)

В 

(4.1.6)

В 

(4.1.7)

В 

(4.1.8)


Rк = 100 Ом, вибраний виходячи з енергетичних міркувань і з урахуванням того що занадто Большлй коллекторное опір урізує смугу. Потужність розсіюється на колекторі потрапляє в межі максимальної потужності, що розсіюється обраного транзистора. <В 

(4.1.9)


Виходячи із значення і знайдемо за характеристиками транзистора базовий струм мА і напруга.

Розрахуємо попереднє значення напруги джерела живлення. Воно складеться з падіння напруги на колекторному переході і падіння напруг на опорах колекторної і емітерний ланцюгів. br/>

(4.1.10)


В існуючому ряду [1] напруг мається близьке до розрахункового. Воно дорівнює, а значить його ми приймемо за напруга джерела живлення майбутнього підсилювального пристрою збільшивши падіння на опорі емітера до 2.2 В.

Визначимо коефіцієнт використання джерела живлення по напрузі. Бажано, щоб ця величина була не нижче (0.2? 0.3), так як використання напруги буде нераціональним. br/>

(4.1.11)


.1.2 Розрахунок параметрів транзистора

Для подальшого розрахунку необхідно визначити параметри транзистора.

(4.1.12)

(4.1.13)

Підставляючи довідкові дані у формули (4.1.12) - (4.1.13) отримуємо:


В В 

Крутизна транзистора визначиться з формули


h21 = Ik max - Ik min/Іб max - Іб min = 40


а g = 0.02 См - визначаємо за вхідний характеристиці як відношення зміни базового струму до зміни базового напруги на прямий-дотичній до робочої точці:


(4.1.14)

В 

Оцінимо коефіцієнт посилення даного каскаду. Для цього скористаємося формулою, наведеною в [1]


(4.1.15)

;


.1.3 Розрахунок підсилювача в області високих частот

Оцінимо спотворення в області малих часів. Для цього визначимо всі доданки, які вносять вклад у

радіодеталей електричний схема підсилювач

(4.1.16)

(4.1.17)

(4.1.18)

(4.1.19)


Підставляючи раніше розраховані значення, отримуємо


В В В В 

Так як навантаження для вихідного каскаду не містить ємності окрім як ємності монтажу, її то я і беру в ролі ємності навантаження при р...


Назад | сторінка 3 з 11 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Розрахунок вторинного джерела живлення і підсилювального каскаду
  • Реферат на тему: Розрахунок однокаскадного підсилювача біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок параметрів кремнієвого інтегрального МДП-транзистора
  • Реферат на тему: Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок біполярного транзистора