/>
Визначаємо число ланок одного ФСС, що забезпечують заданий ослаблення на краях смуги пропускання на один фільтр
Так як, то розрахунок зроблений правильно і можна прийняти число ланок одного ФСС і число ФС.
Визначаємо ослаблення на краях смуги пропускання ППЧ
і вибірковість по сусідньому каналу
Технічні умови виконані.
.4.2 Резонансні УПЧ з поодинокими контурами
В тракті проміжної частоти використовуємо кілька каскадів резонансних одноконтурних УПЧ з поодинокими контурами в навантаженні, то вони вносять додаткову нерівномірність АЧХ в межах смуги пропускання. Ця нерівномірність буде малою і нею можна знехтувати, якщо смугу пропускання одноконтурного каскаду П1 вибрати досить широкої так, щоб вона в 4-6 або більше разів перевищувала задану смугу пропускання ТПЧ. У цьому випадку еквівалентна добротність одиночного контуру дорівнюватиме
.
2.5 Вибір підсилювальних приладів і розрахунок їх параметрів
Правильність вибору електронного приладу визначається за номограми на якій по вертикальній осі відкладається постійна часу входу транзистора, а на горизонтальній осі максимальна робоча частота приймача. Через ці точки проводяться горизонтальні і вертикальні лінії. Точка їх перетину при правильному виборі транзистора повинна лежати в нижній області номограми.
Вибираємо транзистор КТ315.
Постійна часу транзистора визначається за формулою
де - гранична частота по крутизні.
Побудувавши ці точки переконуємося, що точка перетину лежить в нижній області номограми, звідси випливає, що транзистор обраний правильно.
Випишемо довідкові дані транзистора і занесемо їх у таблицю 1.
Таблиця 1
U
(B) I
мА h,
Ом h, h,
СмC,
пФ fт,
МГц RC, пс f,
МГц, мА1054050/3500, 3 * 10-67100300250100
.5.1 Розрахунок низькочастотних параметрів
Крутизна характеристики
S=мА / В
Вхідна провідність
g=См
Провідність зворотного зв'язку
g=h=0,3 * 10-6 См
Опір бази
r=Ом
Вхідна провідність
g=h (1 + rS * 10)=0,3 * 10 (1 +42,9 * 25 * 10)=0,62 * 10 См
Постійна часу
мкс
Результати розрахунку заносимо в таблицю 2.
Таблиця 2
S мА / ВG, СмG, СМR, Омg, См, мкс2510 0,3 * 10 42,90,62 * 10 0,0006
.5.2 Розрахунок високочастотних параметрів
Значення допоміжних елементів
H=Sr10=25 * 42,9 * 10=1,07
Ф=См
Б=- пФ
Вхідний опір
g=g+ Cм
Ом
Вихідний опір
g См
Ом
Вхідна ємність
пФ
Вихідна ємність
З пФ
Крутизна характеристики
S=S мА / В
Результати зводимо в таблицю 3.
Таблиця 3
S, мА / ВG, Смg, СМR, ОмR,...
