ура нагрівання в кожній точці апарату стабілізується. Стале значення температури визначається кількістю теплоти, що виділяється всередині апарату, та інтенсивністю процесу віддачі теплоти в навколишній простір, а також температурою навколишнього середовища.
Як було показано, надійність елементів радіоелектронної апаратури сильно залежить від температури навколишнього середовища. Для кожного типу елемента в технічних умовах вказується гранична температура, при перевищенні якої елемент не можна експлуатувати. Тому одне з найважливіших завдань конструктора радіоелектронної апаратури полягає в тому, щоб забезпечити правильні теплові режими для кожного елемента.
Розраховуємо обсяг елемента ІМСпо формулою:
=L 1 L 2 h
V=0,0073 м * 0,0185 м * 0,009 м=0,00000121545 м 3=1215,45 мм 3
Обчислимо коефіцієнт заповнення апарату:
k з=V д / V
k з=700мм 3 / 1215,45 мм 3=0,575
Наведений розмір підстави нагрітої зони:
l пр=
l пр == 0,011 м
Наведена висота нагрітої зони:
3=hk з
h 3=0,009 м * 0,575=0,0051 м
Поверхня корпусу пристрою:
S к=2 (L 1 L 2 + L 1 h + L 2 h)
S к=2 (0,0073 м * 0,0185 м +0,0073 м * 0,009 м +0,0185 м * 0,009 м)=
=2 (0,00013505 м 2 +0,0000657 м 2 +0,0001665 м 2)=0,0007345 м 2
Наведена поверхню нагрітої зони:
з=2l пр (l пр +2 h з)
S з=2 * 0,011 м (0,011 м +2 * 0,0051 м)=0,0004664 м 2
Питома поверхнева потужність корпусу:
уд.к=P / S до
P уд.к=0,0586 Вт / 0,0007345 м 2=79Вт
Питома потужність нагрітої зони:
уд.з=P / S з
P уд.з=0,0586 Вт / 0,0004664 м 2=125Вт
Середній перегрів поверхні корпусу в порівнянні з температурою навколишнього середовища:
? t к=P / (9S к)
? t к=0,0586 Вт / (9 * 0,0007345 м 2)=8 о C
Середня поверхнева температура корпусу пристрою:
к=t окр +? t до
t к=25? З +8 про C=33 о С
Я провів розрахунок теплових процесів пристрою. У моєму випадку - це 33 о С.
4. Розрахунок завадостійкості
Перешкодостійкість визначає допустиму напругу перешкод на входах мікросхеми і звичайно ж пов'язана з її передавальної характеристикою. Залежно від тривалості перешкоди її пов'язують з перешкодами, тривалість яких більше тривалості перехідних процесів. Для завадостійкості може враховуватися вплив напруги високого і низького рівня.
РассчітиваюU 1 min і U 1 max:
U 1=2В
U 1 min=U 1 - 5%
U 1 min=2В - 0,1 В=1,9 В
U 1 max=U 1 +5%
U 1 max=2В +0,1 В=2,1...
