ш високою діелектричною проникністю, такі як діоксид гафнію або діоксид алюмінію. Технологія отримання діоксиду гафнію або діоксиду алюмінію є процесом атомно-шарового осадження. Це все дозволяє інженерам отримувати транзистори з дуже тонкими діелектричними і металевими шарами при формуванні затвора. Такі транзистори повинні володіти відмінними характеристиками - високою продуктивністю при невисокому енергоспоживанні, завдяки тому, що знижується напруга на затворі і підвищується швидкість руху носіїв заряду. Як результат - інтегральні мікросхеми з характеристиками, радикально відрізняються від сучасних аналогів.
Корпорація Intel приділяє величезну увагу розробці перспективних транзисторів тривимірної конструкції з потрійним затвором, яка забезпечує більш ефективний витрата енергії в порівнянні з традиційними плоскими транзисторами. Ця розробка знаменує собою початок епохи тривимірних конструкцій транзисторів, які корпорація Intel планує прийняти на озброєння для підтримки темпів розвитку, що узгоджуються з законом Мура, після закінчення поточного десятиліття.
обчислювальний тривимірний транзистор діелектрик
Список використаних джерел
1. Сергій Пахомов. Експансія закону Мура//Комп'ютер прес.- 2003. - №1. С.16-22.
2. Сергій Пахомов. Ера тривимірних транзисторів//Комп'ютер прес.- 2003. - №1.- С.34-38.
. Олександр Карабут. Налагодження кристалів мікросхем//Комп'ютера.- №37.- 2004.
4. Щука А.А. Електроніка. Навчальний посібник/За ред. Проф. А.С. Сігова.- СПб .: БХВ-Петербург, 2006.
5. Крученецкій В.З. та ін. Про доцільність запровадження в програми навчання курсу по використанню компонентів комп'ютерних засобів на основі функціональної електроніки. Матеріали Республіканської науково-практичної конференції «Сучасні підходи до модернізації системи освіти», присвяченої 70-річчю Шаяхметова ш.ш, .II Том, Алмати, КазНУ ім. Абая, 3 квітня 2009. с7
