овжин волншіріной забороненої зони lt; # justify gt; · світлові характеристики:
залежність фотоструму від освітленості, відповідає прямої пропорційності фотоструму від освітленості. Це обумовлено тим, що товщина бази фотодіода значно менше дифузійної довжини неосновних носіїв заряду. Тобто практично всі неосновні носії заряду, що виникли в базі, беруть участь в утворенні фотоструму.
· постійна часу:
це час, протягом якого фотострум фотодіода змінюється після висвітлення або після затемнення фотодіода в е раз (63%) по відношенню до сталому значенню.
· темнової опір:
опір фотодіода в відсутність освітлення.
· Інерційність.
. Визначення параметрів випрямних діодів за довідковими даними і вольт-амперних характеристик
Для заданого діода Д2Б потрібно виконати:
. Дати характеристику діода.
. Записати основні параметри:
· Uпр при Іпр
· Iобр при Uобр max
· Uобр max
· Рср
. Побудувати (на міліметрівці) вольт-амперні характеристики (ВАХ) діода для температур t1, t2, t3.
При побудові ВАХ прямі і зворотні гілки характеристик для всіх температур розташувати в одній системі координат.
. За вольт-амперних характеристик для температури t2 визначити опір прямому струму (Rпр) при напрузі Uпр1 і опір зворотному току (Rобр) при зворотному напрузі Uобр1.
. Диференціальний опір (rдіф) і крутизну (S) прямої гілки ВАХ для напруги Uпр1.
. За ВАХ визначити зміну прямого струму при зміні температури від t1 до t3 для будь-якого одного значення прямої напруги.
Вихідні дані:
t1=- 60о=213 К, t2=+ 20о=293 К, t3=+ 70о=343 К;
Uпр1=0,6 В; Uобр1=10 В.
Рішення
Діоди Д2Б германієві точкові. Призначені для перетворення і детектування сигналів з частотою до 150 МГц в амплітудних і фазових детекторах. Випускаються в скляному корпусі з гнучкими висновками. Діоди маркуються жовтої і білої точками або кільцями у позитивного висновку. Маса діода не більше 0,3 г.
Основні параметри діода Д2Б:
Uпр=1 В при Іпр=5 мА
Iобр=100 мкА при Uобр max=10 В
Uобр max=10 В
При температурі t2=+ 20о=293 К по ВАХ визначимо Iпр1=2 мА при
Uпр1=0,6 В і Iобр1=90 мкА при Uобр1=10 В. Тоді: опір прямому струму
опір зворотному току
Визначимо крутизну прямої гілки ВАХ для напруги Uпр1:
біполярний транзистора фотодіод
Диференціальний опір прямої гілки ВАХ для напруги Uпр1:
При зміні температури від t1 до t3 при Uпр1=0,6 В зміна прямого струму дорівнюватиме:
. Визначення параметрів біполярних транзисторів, включених але схемою з скривдимо емітером
Для транзистора, включеного за схемою з загальним емітером, використовуючи вхідну і вихідні характеристики, визначати коефіцієнт посилення h21, значення напруги на колекторі Uке1 і Uке2, потужність на колекторі Рк1 і РК2, якщо дано напруга на базі Uбе, значення опору навантаження Rк1 і Rк2 і напруга джерела живлення Ек.
Вихідні дані: номер малюнка 1, 2.
Uбе=0,6 В; Rк1=0,04 кОм; Rк2=0,05 кОм; Ек=40 В.
Рішення
Визначимо коефіцієнт посилення h21 при Uке=20 В:
За вхідним характеристикам визначимо базовий струм при Uбе=0,6 В: Iб=8 мА.
Побудуємо навантажувальні прямі по формулі Ek=Uбе + IkRk
Будувати будемо по двох точках.
Перша точка при Ik=0 Uбе=Ек=40 В.
Друга точка при
Uбе=0;
Прямі перетинають лінію Iб=8 мА при Uке1=10,5 В, Iк1=0,75 А і Uке2=5,5 В, Iк2=0,7 А.
Потужність на колекторі
