Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Статьи » Установка для комплексного дослідження деградації гетероструктур світлодіодів

Реферат Установка для комплексного дослідження деградації гетероструктур світлодіодів





align="justify"> Найменування джерела інформацііАвторГод, місце і орган ізданія1Тепловой аналіз якості посадки кристалів світлодіодів, статьяБумай Ю.А., Васьков О.С. і др.Сб. тез. докл. 6 Всеросс. конф. «Нітриди галію, індію та алюмінію - структура і прилади» С.-Петербург, 20082Вліяніе джоулева розігріву на квантову ефективність і вибір теплового режиму потужних блакитних InGaN/GaN світлодіодів, статьяЕфремов А.А., Бочкарьова Н.І.ФТП, 2006, Т.40, вип. 5.3Тепловие процеси в над'яскравих InGaN/GaN світлодіодах, статьяБумай Ю.А., Васьков О.С.Сб. ст. 6-го Бел.-Росс. семінару «Напівпровідникові лазери і системи на їх основі». Мінськ, 20074Обобщенний теплової аналіз потужних світлодіодів і гетеролазери, статьяБумайЮ.А., Васьков О.С. і др.Сб. ст. 6-го Бел.-Росс. семінару «Напівпровідникові лазери і системи на їх основі». Мінськ, 20075Measuring LED junction temperature, статьяHulett J., Kelly C.Photonics Spectra, 2008, Vol.42, No.76Електротепловой елемент сенсорів газу, статьяЛепіх Я.І.Технологія та конструювання в електронній апаратурі, +2002, №67Математіческое моделювання теплоелектріческіх процесів в структурах напівпровідникових виробів з дефектами, автореферат дис. к.ф.-м.н.Ходаков А.М.Ульяновск, УТУ, 20108Основи теплового менеджменту при конструюванні ПСП, статьяНіколаев Д., Феопентов А.Полупроводніковая світлотехніка №1, 20109Свойства світлодіодів на основі GaSb з сітчастими омічними контактами, статьяІменков А. Н., Гребенщикова Е.А. і др.ФТП, 2004, Т.38, вип. 11.

Таблиця А.3 - Патентна документація, відібрана для аналізу

Предмет пошуку (Об'єкт, його складові частіСтрана видачі, вид та номер охр. документа, классиф. індексЗаявітель із зазначенням країни, дата публікацііСущность заявленого техн. решеніяСведенія про дію охоронного документаТепловой розрахунок СІДСША, патент, №20100302779, А1Brian J., США, 02.12.2010Метод оцінки температури переходу СІДДействуетТепловой розрахунок СУСША, патент, №20100202141, А1Ron Shu Yuen, США, 12.08.10Компьютерное моделювання радіатора для СУДействуетОсобенності тепловідводу в СІД і СУСША, патент, №20090322800, А1Robin Atkins, США, 31.12.09Способ і пристрій тепловідводу в СУДействуетОсобенності тепловідводу в СІД і СУСША, патент, №20100136725, А1Wei Shi, США, 03.06.10Метод і система відводу тепла від СІД і СУДействуетОсобенності тепловідводу в СІД і СУСША, патент, №20090129087, А1Carl R. Starkey , Метод керованого охлажденіяДействуетОсобенності тепловідводу в СІД і СУСША, патент, №20090129087, А1Carl R. Starkey, Метод керованого охлажденіяДействуетПараметри для теплового расчетаПатент, CN101701854 (A), G01K7/18.LIANG CHEN та ін. (CHEN LIANG,; GU JIANZHONG,; HE BINFENG,; LIU SHISHEN,; TONG GUANGHUI,; ZHANG TAO,; ZHANG MEIMIN) Метод визначення теплового сопротівленіяДействует

Додаток Б


Автоматизований будівник ВАХ. Інструкція з експлуатації


Будівник ВАХ призначений для автоматизованого вимірювання вольтамперних характеристик світловипромінюючих діодів і температури навколишнього середовища.

Основні технічні характеристики:

Допустима напруга харчування: 10 - 30 В;

Рекомендоване напруга живлення: 12 В;

Споживаний струм в режимі очікування: не більше 40 мА;

Максимальний струм, що подається на світлодіод: 1 - 200 мА;

Мінімальний крок збільшення струму: ~ 1 мА;

Тривалість імпульсу струму в імпульсному режимі виміру: 0.4 мс;

Період одного виміру: 500 мс;

Діапазон вимірюваних температур: 0-100 0С;

Роздільна здатність термометра: ± 1 0С;

Габаритні розміри: 150 * 80 * 30 мм;

Встановити драйвер необхідний для розпізнавання пристрою комп'ютером.

Мінімальні системні вимоги:

Операційна система:

· Windows 2000 SP4;

· Windows XP (32 amp; 64 bit);

· Windows Server 2003 (32 amp; 64 bit);

· Windows Vista (32 amp; 64 bit);

· Windows 7 (32 amp; 64 bit);

· Windows Server 2008/2008 R2 (32 amp; 64 bit);

· Інтерфейс: USB 1.1/2.0/3.0.

Підключити відповідний роз'єм будівника до досліджуваного светодиоду дотримуючись полярності (червоний провід - анод світлодіода, чорний провід - катод світлодіода). Підключення досліджуваного світлодіода має здійснюватися при вимкненому джерелі живлення приладу.

Підключити датчик температури (якщо є необхідність) до відповідного роз'єму будівника.

Підключити роз'єм живлен...


Назад | сторінка 34 з 35 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Операційна система Windows Server 2008
  • Реферат на тему: Операційна система Windows 2000 Server
  • Реферат на тему: Аналіз системи безпеки Microsoft Windows 2000 Advanced Server і стратегій ї ...
  • Реферат на тему: Адміністрування корпоративної мережі на основі Windows Server
  • Реферат на тему: Огляд Windows Vista на базі порівняння з Windows XP