м
При w=500 Мрад/с | Y21 (?) |=28, 3 мСм
При w=800 Мрад/с | Y21 (?) |=2 1,2 мСм
При w=1100 Мрад/с | Y21 (?) |=16,5 мСм
За отриманими даними побудуємо графік залежності | Y21 (?) | (малюнок 10).
Рисунок 10 - Графік залежності | Y21 (?) |
Вхідна провідність, яку визначають при короткозамкненим для змінної складової виході транзистора:
=(1/2,8 * 103) *? ((1+ (w/2,76 * 106) 2)/(1+ (w/499,8 * 106) 2)
При w=100 Мрад/с | Y11 (?) |=12,6 мСм
При w=200 Мрад/с | Y11 (?) |=24 мСм
При w=300 Мрад/с | Y11 (?) |=33 мСм
При w=400 Мрад/с | Y11 (?) |=40 мСм
При w=500 Мрад/с | Y11 (?) |=45,6 мСм
При w=800 Мрад/с | Y11 (?) |=54,6 мСм
При w=1100 Мрад/с | Y11 (?) |=58,7 мСм
За отриманими даними побудуємо графік залежності | Y11 (?) | (малюнок 11).
Малюнок 11 - Графік залежності | Y11 (?) |
. 2 Польовий транзистор КП103Ж
. 2.1 Вихідні дані для розрахунків
Транзистор з каналом p-типу, включений у схему із загальним витоком. Напруга джерела живлення Eп=20 В, опір навантаження Rн=3 кОм.
. 2.2 Побудова навантажувальної прямої
Для побудови прямої використовуємо рівняння
п=Uси + Iс * Rн.
Прирівнюючи Iс=0, отримуємо першу точку Uси.=20 В.
Прирівнюючи Uси=0, отримуємо другу точку Iс=6,6 мА.
Побудова навантажувальної прямої зображено на малюнку 12.
Малюнок 12 - Нагрузочная пряма вихідний ВАХ
Фіксуємо параметри режиму спокою - Iс0=0,3 мА, Uсі0=19 В, Uзі0=0,5 В.
. 2.3 Визначення малосигнальних параметрів
Крутизна характеристики польового транзистора:
=(0,55 * 10-3)/0,5=1,1 мА/В
Внутрішній опір транзистора:
=4/0,1 * 10-3=40 кОм
Статичний коефіцієнт підсилення:
=1,1 * 40=44
2.2.4 Розрахунок величин елементів еквівалентної схеми транзистора
На малюнку 13 зображена еквівалентна схема польового транзистора.
Малюнок 13 - Еквівалентна схема польового транзистора
СЗС=8 пФ прохідна ємність
СЗІ=20 пФ вхідна ємність=40 кОм внутрішньо опір транзистора=1,1 мА/В крутизна характеристики транзістораКАН=15,8 кОм опір каналу в робочій точці
. 2.5 Визначення граничних і граничних частот транзистора
Гранична частота провідності прямої передачі польового транзистора:
| S=1/(2 p? RКАН? СЗІ)=0,5 МГц
Гранична частота підсилення польового транзистора
| ГР=S/(2 p? ССІ)=17,5 МГц
. 2.6 Визначення частотних залежностей Y-параметрів
w S=2 p| S=3,14 МГц
Вхідна провідність, яку визначають при короткозамкненим для змінної складової виході транзистора:
При? =1 Мрад/сY11 (?)=26,85 мкСм
При? =2 Мрад/сY11 (?)=44, 25 мкСм
При? =3 Мрад/сY11 (?)=63,1 мкСм
При? =8 Мрад/сY11 (?)=101,69 мкСм
При? =13 Мрад/сY11 (?)=132,23 мкСм
При? =18 Мрад/сY11 (?)=166,38 мкСм
За отриманими даними побудуємо графік залежності Y11 (?) (малюнок 14).
Малюнок 14 - Графік залежності Y11 (?)
Провідність зворотної передачи, яку визначають при короткозамкненим для змінної складової вході транзистора:
При? =1 Мрад/сY12 (?)=2,82 мкСм
При? =2 Мрад/сY12 (?)=4 мкСм
При? =3 Мрад/сY12 (?)=4,89 мкСм
При? =8 Мрад/сY12 (?)=8 мкСм
При? =13 Мрад/сY12 (?)=10,19 мкСм
При? =18 Мрад/сY12 (?)=12 мкСм
За отриманими даними побудуємо графік залежності Y12 (?) (малюнок 15).
Малюнок 15 - Графік залежності Y12 (?)
