Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Обчислювальні машини, системи та мережі

Реферат Обчислювальні машини, системи та мережі





329 (1975).

П.С. Копйов, Н.Н. Льодяників. ФТП, 22, 1729 (1988) .. B. Panish, M. Ilegems. Prog. Sol. St. Chem., 7, 39 (1972) .. W. Liang, C.W. Tu. J. Appl. Phys., 74, 255 (1993) .. V. Ivanov, P.D. Altukhov, T.S. Argunova, A.A. Bakun, A.A. Budza, V.V. Chaldyshev, YuA. Kovalenko, P.S. Kop'ev, R.N. Kutt, B.Ya. Meltser, S.S. Ruvimov, S.V. Shaposhnikov, L.M. Sorokin, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 8, 347 (1993).

А.Ю. Єгоров, А.Р. Ківш, А.Є. Жуков, В.М. Устинов, П.С. Копйов, «Термодинамічний аналіз процесу зростання четверні з'єднань AIIIBV при молекулярно-пучкової епітаксії на прикладі з'єднань GaхIn1-хPуAs1-у

Данилова Т.І., Смирнова К.І., Ілюшин В.А., Величко А.А., «Процеси мікро- і нанотехнології», Томськ, +2005.

Курносов А.І. , Юдін В.В. , Технологія виробництва напівпровідникових приладів та інтегральних схем М: «Вища школа», 1986.

Жуков А.Є., Семенова Є.С., Устинов В.М., Вебер Є.Р., «Молекулярно-пучкова епітаксії GaAsN на GaAs з використанням плазмового джерела, збуджуваного постійним струмом»; Журнал технічної фізики, 2001, том 71, вип.10.


Назад | сторінка 4 з 4





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Термодинамічний аналіз молекулярно-променевої епітаксії InGaPAs
  • Реферат на тему: Молекулярно-променева епітаксії
  • Реферат на тему: Проектування процесу виробництва інтегральних схем для розрахунку внутрішнь ...
  • Реферат на тему: Політичний та соціально-економічний Розвиток Словаччини у 1993-2005 рр.
  • Реферат на тему: Історія появи напівпровідникових інтегральних схем