ків занесемо в таблицю:
VT1 тип
КТ315Б npn 50-350 0.1 0.15 20250
В
Примітка: отримані номінали елементів відповідають схемам наведеним на рис 2.2 і рис 2.3. p> 2.2. Розрахунок вузлів попереднього підсилювача
2.2.1. Розрахунок мостового регулятора тембру
В
Схеми підсилювачів потужності, розраховані вище, мають досить високим вхідним сопративления, що дозволяє включати мостовий регулятор тембру безпосередньо на їх вході.
Рис 2.3. br/>
На рис 2.3 представлена ​​схема мостового регулятора тембру.
Номінали елементів отримані у даному пункті відповідають позначенням схеми наведеної на рис 2.3.
Вихідні дані для розрахунку:
а) Визначаємо коефіцієнт корекції у відносних одиницях:
В
б) Визначаємо частоту розділу:
В
в) Перевіряємо виконання умови неперекритих зон регулювання
В В В
г) Визначаємо опір при допустимої похибки регулювання можна прийняти;
В
З ряду Е12
д) Визначаємо номінали резисторів регуляторів НЧ
В В
е) Визначаємо опір буферного резистора
В
З ряду Е12
ж) Визначаємо номінали ємностей
В В В В
з) Визначаємо вхідний і вихідний опір РТ:
В В
і) Визначаємо вимога до вихідного опору попереднього каскаду: при похибки РТ на ВЧ можна застосовувати
В В В
к) Визначаємо положення движків і, відповідно лінійної частотної характеристики:
В В
л) Визначимо номінальний коефіцієнт передачі регулятора тембру
В
м) Визначимо номінальна вхідна напруга РТ:
В
2.2.2. Розрахунок каскадів попереднього підсилення. p> А) Розрахунок КПУ2
Схема каскаду:
В
Рис 2.4. br/>
На рис 2.4. представлена ​​схема каскаду попереднього посилення на біполярному транзисторі за схемою з загальним емітером.
Вихідні дані для розрахунку:
В
Перейдемо безпосередньо до розрахунку.
1. Визначаємо амплітуди напруги та струму навантаження:
В
2. Задаємося струмом спокою:
В
2. Задаємо напруга колектор-емітер транзистора:
В
Візьмемо
2. Визначаємо напругу живлення каскаду з умов:
Напруга джерела живлення повинна перевищувати на величину падіння напруги на опорі фільтра (приблизно на 20-30%) і повинно бути
В В
5. Визначаємо опору в ланцюзі емітера:
ВрахуємоВ <В
6. Визначаємо опір R3:
В
З ряду Е12
7. Визначаємо амплітуду струму колектора:
В
2. Визначаємо потужність рассеиваемую на колекторі:
В
9. Вибираємо транзистор за критеріями:
В В В В
Вибираємо транзистор 315Б
Для проведення подальших розрахунків з параметрів обраного транзистора визначаємо:
В
2. Розраховуємо базову ланцюг:
а) задаємо струм дільника:
В
Задамо струм дільника:
б) визначимо R1:
В
З ряду Е12
в) визначаємо R2:
В
З ряду Е12
11. Задаємося допустимим коефіцієнтом гармонік каскаду:
В
Звідси знаходимо R4 і R5:
В
З ряду Е12
В
З ряду Е12
12. Визначаємо коефіцієнт підсилення:
В
13. Визначаємо вхідний опір каскаду:
В
деВ p> 14. Визначаємо номінальна вхідна напруга:
В
15. ємність конденсатора C2 розраховується за наступним виразом:
В
де <В
в останній формулі
В
16. Опір визначається виходячи з падання напруги на ньому і струму, рівного сумі струмів дільника в ланцюзі бази і емітера.
В
З ряду Е12 = 4.7 (кОм).
17. Для визначення ємності конденсатора можна використовувати наступну формулу:
В
З ряду Е24
18. Розрахуємо С3, яке є розділової ємністю:
В
З ряду Е24
Примітка: номінали розрахованих елементів даного пункту відповідають схемі представленої на рис 2.4.
Результати розрахунку КПУ2
VT1 тип
КТ315Б npn 50-350 0.1 0.15 20250
В
Б) Розрахунок КПУ1. p>В
Схема каскаду:
Рис 2.5. p> На рис 2.5. представлена ​​схема каскаду попереднього підсилення на польовому транзисторі за схемою загальний витік.
У даному пункті номінали отриманих елементів будуть відповідати схемі наведеної на рис 2.5.
резисторного каскад на польовому транзисторі на відміну від аналогічного каскаду на біполярному транзисторі володіє високим вхідним опором. Ця якість дозволяє використовувати його в перетинах підсилювача, де бажані високоомні навантаження, тоесть в нашому випадку. p> 1.Виберіте транзистор КП303Г
2.Вибіраем робочу точку на лінійній ділянці характеристики з координатами
3.Определяем напруга на стоці транзистора:
В
4.Рассчітивается опір навантаження по постійному струму:
В
З ряду Е12
5.Для польового транзистора в робочій точці з координатами
визначається крутизна за характеристикою
В
і за харак...