>
В· забезпечує споживання з мережі вхідного струму, що збігається за фазі з напругою мережі, і практично синусоїдальної форми, в незалежності від характеру навантаження ДБЖ, що дозволяє мати вхідний коефіцієнт потужності близьким до одиниці;
В· забезпечує м'який старт для зменшення пускового вхідного струму ДБЖ. br/>В
Схема управління силовим транзистором ККМ
Високочастотний ККМ в ДБЖ малої потужності виконаний за схемою підвищувального перетворювача (Бустера) з диференціальним виходом і силовим дроселем L1, включеним у вхідний ланцюг змінного струму. Силовий транзистор ККМ VT1 (див. рис. 6) управляється сигналом з широтно-імпульсної модуляцією (ШІМ). Формування шим сигналу з частотою 20 кГц здійснює спеціалізована мікросхема ККМ контролера типу UC3854. На входи ККМ контролера надходять сигнали, пропорційні вхідному напрузі (u вх ), вхідному струмі (i вх ), напрузі на виході ККП (U вих ), максимальним значенням струму транзистора (Imp) і вхідного струму (Im), номінальному вихідному напруги ККМ (U ном ) (див. рис. 8). Крім цих сигналів, на мікросхему ККМ контролера надходить напруга живлення (U п = 24 В), сигнал синхронізації (U з ) і сигнал управління (вкл/викл) ККМ (U вкл ) від центрального мікропроцесора плати управління ДБЖ. Контролер ККМ виробляє шим-сигнали з тактовою частотою 20 кГц і різної скважностью на кожному напівперіод мережевої напруги, що дозволяє формувати вхідний струм необхідної форми і стабілізувати вихідну напругу.
За рахунок зміни співвідношення часу відкритого стану транзистора, коли в дросселе запасається електромагнітна енергія W L :
(1)
і часу закритого стану транзистора, коли накопичена енергія через діод VD5 (VD6 рис. 6) віддається в накопичувальний конденсатор, ККМ забезпечує форму вхідного струму, близьку до синусоїдальної, і збігається по фазі з вхідним напругою. Сигнал ШІМ з контролера надходить на затвор IGBT транзистора через вузол сполучення (оптопару типу TLP250), що забезпечує необхідне посилення сигналу і гальванічну розв'язку ланцюга управління і силового ланцюга транзистора (рис. 8). Харчування вузла сполучення в ДБЖ малої потужності здійснюється від однієї з обмоток високочастотного трансформатора блоку зарядного пристрою за допомогою діода VD1. В ДБЖ середньої потужності харчування вузла сполучення забезпечує блок ВІП. На накопичувальних конденсаторах шини постійного струму С1, С2 (див. рис. 6, 7) формується високовольтне стабілізовану постійну напругу для живлення інвертора U п = 700 - 800 В.
Коефіцієнт передачі по напрузі підвищувального перетворювача (бустера) в режимі безперервного струму дроселя досягає значення 4. Це забезпечує широкий діапазон допустимого вхідного напруги, при якому ДБЖ не переходить у автономний режим. Значення допустимих відхилень вхідної напруги (мережі) і значення напруг живлення інвертора для різних моделей ДБЖ наведені в таблиці № 1.
Величина ємності накопичувальних конденсаторів С1 = С2 вибирається з розрахунку 470 мкФ на кожен 1кВА вихідної потужності інвертора для забезпечення достатньої енергії живлення інвертора при скачках навантаження і провалах мережевої напруги.
Таблиця 1. Допустимий діапазон вхідних напруг і параметри кіл постійного струму ДБЖ малої і середньої потужності
Виробник
Модель
ДБЖ
Номінал.
Потужність кВА
Напруга
АБ, В
Вхідна
напруга, В
Діапазон
навантаження,%
Напруга DC шини, В
Invensys
PW9120
1/1, 5/3
36/48/96
160-276
66-100
н/д
140-276
33-66
120-276
0-33
5/6
240
184-276
75-100
160-276
50-75
140-276
25-50
120-276
0-25
PW9150
8/10/12/15
288
176-276
0-100
