9, 10, 12; 12,6; 15; 20; 24; 27; 30; 36) B.
Якщо в результаті розрахунку Е не відповідатиме значенню з рекомендованого ряду, то шляхом варіації у формулі (4.2) слід підігнати значення Е під найближче з рекомендованого ряду. Значення Е можна істотно знизити, якщо паралельно R включити дросель з такою індуктивністю, щоб X> (10 ... 20) R (на, для ІУ, - тривалість імпульсу). У цьому випадку U = 0. Такий захід також дозволяє підвищити ККД каскаду. Слід зазначити, що застосування дроселя НЕ завжди технологічно виправдане, особливо при виконанні УУ у вигляді ІМС.
4.3 Розрахунок еквівалентних параметрів транзистора
При використанні транзисторів до (0,2 ... 0,3) можливе використання спрощених еквівалентних моделей транзисторів, параметри елементів еквівалентних схем яких легко визначаються на основі довідкових даних, наведених, наприклад, в [3].
В
Еквівалентна схема біполярного транзистора наведена на рис.4.3.
Параметри елементів визначаються на основі довідкових даних таким чином:
ВЁ,
деВ - Постійна часу ланцюга внутрішнього зворотного зв'язку в транзисторі на ВЧ;
ВЁ,
приВ в міліампер виходить в Омасі;
ВЁ,
деВ - Гранична частота підсилення по струму транзистора з ОЕ,;
ВЁ,
деВ - Низькочастотне значення коефіцієнта передачі по струму транзистора з ОЕ.
ВЁ Dr = (0,5 ... 1,5) Ом;
Таким чином, параметри еквівалентної схеми біполярного транзистора повністю визначаються довідковими даними і режимом роботи.
Слід враховувати відому залежність від напруги колектор-емітер:
.
За параметрами еквівалентної схеми БТ визначимо його низькочастотні значення вхідний провідності g і крутизни:
,
.
4.4 Розрахунок ланцюгів живлення і термостабілізації
В
Найбільш широкого поширення набула схема емітерний термостабілізації (див. рис.4.1). Проведемо розрахунок цієї схеми. p> Визначимо потенціал в точці а :
,
деВ В - Напруга база-емітер в робочій точці, = (0,6 ... 0,9) В (для кремнієвих транзисторів).
Задамося струмом дільника, утвореного резисторами R і R:
,
деВ В - Струм бази в робочій точці,.
Визначимо номінали резисторів R, R і R:
,
,
.
Оцінимо результуючий догляд струму спокою транзистора в заданому діапазоні температури навколишнього середовища. Визначимо прирощення струму колектора, викликаного тепловим зміщенням прохідних характеристик:
,
деВ - прирощення напруги, рівне:
| e |,
де e - температурний коефіцієнт напруги (ТКН),
e -3мВ/град, Т - різниця між температурою колекторного переходу Т і довідковим значенням цієї температури Т (зазвичай 25 C):
,
,
де Р і R відповідно, потужність, розсіюється на колекторному переході в статичному режимі, і теплове опір "перехід-середовище":
,
.
Орієнтовна значення теплового опору залежить від конструкції корпусу транзистора і зазвичай для транзисторів малої і середньої потужності лежить в наступних межах:
.
Менша тепловий опір мають керамічні та металеві корпуси, більша - пластмасові.
Визначаємо прирощення струму колектора, викликаного зміною зворотного (Некерованого) струму колектора:
,
де прирощення зворотного струму одно:
,
де a - коефіцієнт показника, для кремнієвих транзисторів a = 0,13.
Слід помітити, що значення, приводиться в довідковій літературі, особливо для транзисторів середньої та великої потужності, являє собою суму теплової складової і поверхневого струму витоку, останній може бути на два порядки більше теплової складової, і він практично не залежить від температури. Отже, при визначенні слід користуватися приводяться в довідниках температурними залежностями або зменшувати довідкове значення приблизно на два порядки для кремнієвих транзисторів (зазвичай для кремнієвих транзисторів складає порядку, n = (1 ... 9)).
Прирощення колекторного струму, викликаного зміною, визначається співвідношенням:
,
деВ , Отн. од./град.
Загальний догляд колекторного струму транзистора з урахуванням дії схеми термостабілізації визначається наступним виразом:
,
де облік впливу параметрів схеми термостабілізації здійснюється через коефіцієнти термостабілізації, які, наприклад, для емітерний схеми термостабілізації рівні:
,
.
ТутВ - Паралельне з'єднання резисторів іВ . p> Для каскадів підвищеної потужності слід враховувати вимоги економічності при виборі та.
Критерієм оптимальності розрахованої схеми термостабілізації може служити відповідність обраного запасу іВ . p> Більше докладно методи розрахунку схем живлення і термостабілізації наведені в [4].
4.5 Розрахунок основних ...
