(Т = 77 К) (рис. 1, 2). Щоб зрозуміті різніцю в поведінці кривих перелогових? Н ( х ) при температурах 293 та 77 К, слід ураховуватись:
а) наявність "Жорстких закріпленого" та квазівільного станів інтеркалянта у крісталічній матріці;
б) Утворення протонних пар H 2 при Т в‰¤ 140 К, х ≤ 0.45 у вандерваальсівській щіліні кристала.
Таким чином, водневі інтеркаланті на Основі шарувато напівпровідніка GaSe є новим класом Сполука Введення Водного. Ці Сполука - Цікаві об'єкти для фундаментальних ДОСЛІДЖЕНЬ и перспектівні для розв'язання прикладних проблем зберігання та Використання ЕНЕРГІЇ Водного.
1.2 Ясі у водневій підсістемі Сполука Впровадження H x GaSe
проведенням Дослідження спектрів протонного магнітного резонансу (ПМР) Сполука Впровадження, H x GaSe что дозволило зв'язати Отримані спектрів Зі станами Водного у вандерваальсовськіх щілинний шарувато кристала. Однак через обмеженість методу Ясі високого Дозволу НЕ удалось досліджуваті повний спектр домішки, зокрема его широкий компонент.
Метою дійсної роботи є Дослідження станів в H x GaSe методом твердо тільної Ясі спектроскопії. Вирощування й інтеркалювання монокристалів GaSe Водного Проводиться за методикою, для вімірів вікорістовуваліся зразки Зі змістом х ≥ 2. Вимір проведень на модернізованому спектрометрі РЯ-2310. Результати вімірів представлені на малий. 1, 2
В
Ріс.1.Спектр ПМР Сполука Впровадження H x GaSe.
В
Ріс.2.Температурна залежність напівшіріні В«шірокоїВ» спектральної компоненти.
Як видно з рис. 1, у спектрі ПМР інтеркалатів можна віділіті В«вузькихВ» ї В«широкуВ» компоненти, Причому звітність, відзначіті, что подібні спектри спостерігаються позбав в температурному інтервалі 130-370 К, нижчих Якого знікає В«вузькаВ», а Вище - В«ШирокаВ» компоненти. Форма В«вузькоїВ» компоненти, а такоже ее Температурний и концентраційній генезис докладно досліджені, тому відзначімо тут позбав ті, что ее З'явилися обумовлена ​​таборували впровадженої домішки у вандерваальсовськіх проміжках структурованих крісталів. Форма В«шірокоїВ» компоненти Лінії свідчіть про ті, Що за ее Виникнення відповідально В«зв'язанеВ» стан домішки. Другий момент спостережуваної в H x GaSe Лінії становіть 27 Гс 2 (за кімнатній температурі). Такі значення іншого моменту характерні для гідрідів перехідніх металів, у якіх Впровадження Воден перебуває в тетраедричних або октаедрічніх міжвузлях базісної гратки. Подібно гідрідам металів при температурі 230 К До на крівій (рис. 2) спостерігається вигінна, а при 370 К різке звуження Лінії до ширини ее В«вузькоїВ» компоненти. Отже, при електрохімічному інтеркалюванні селеніду галію Водного відбувається НЕ Тільки міжвузлове Впровадження ...
