fy"> На рис.2 схематично показана конструкція такого транзистора. Основою приладу служить пластинка (підкладка) монокристалічного кремнію р-типу. Області витоку і стоку являють собою ділянки кремнію, сильно леговані домішкою п - типу. Відстань між витоком і стоком приблизно 1 мкм. На цій ділянці розташована вузька слабо легована смужка кремнію л-типу (канал). Затвором служить металева пластинка, ізольована від каналу шаром діелектрика товщиною приблизно 0,1 мкм. В якості діелектрика може використовуватися вирощена при високій температурі плівка двоокису кремнію.
Залежно від полярності напруги, прикладеної до затвора (щодо витоку), канал може збіднюватися або збагачуватися носіями заряду (електронами). При негативному напрузі на затворі електрони провідності виштовхуються з області каналу в обсяг напівпровідника підкладки. При цьому канал збіднюється носіями заряду, що веде до зменшення струму в каналі. Позитивна напруга на затворі сприяє втягуванню електронів провідності з підкладки в канал. У цьому режимі, що отримав назву режиму збагачення, струм каналу зростає.
Таким чином, на відміну від польового транзистора з р-п переходами транзистор з ізольованим затвором може працювати з нульовим, негативним чи позитивним напругою на затворі.
В
Рис. 3
На рис.3, а показаний зразковий вид сімейства вихідних ( стокових) вольтамперних характеристик польового транзистора з р-п переходами
прі.
Нехай напруга між затвором і витоком Uзи = 0. При збільшенні позитивного напруги Uс на стоці струм Iс буде наростати. Спочатку залежність буде майже лінійної (ділянка ОА на рис.3, а). Однак зі зростанням Iс збільшується падіння напруги на каналі, підвищується зворотний зсув для р-п переходів (особливо поблизу стоку), що веде до звуження перерізу струмопровідного каналу і уповільнює зростання струму Iс . Зрештою у стокового кінця платівки канал звужується настільки, що подальше підвищення напруги вже не призводить до зростання Iс (ділянка АВ на ріс.7.24, а). Цей режим отримав назву режиму насичення, а напруга Uс, при якому відбувається насичення, називається напругою насичення (U c. нас.). Якщо зняти залежність струму Iс від напруги Uс для ряду напруг на затворі (Uзи <0), то отримаємо сімейство вихідних характеристик польового транзистора. p> Залежність при U c = const отримала назву стокозатворной характеристики (рис.3, б).
Вихідні характеристики польово...
