адовольняє наступним параметрам: Rн = 200 Ом, Iвих = 0,1 мА, Iвх = 1 мкА, діапазон частот: fн = 30 Гц, fв = 6 кГц.
Рішення.
. Необхідний Кi = Такого коефіцієнта підсилення можна досягти взявши транзистор з відповідним b. Застосуємо транзистор 2Т301б, у якого b досягає 120 з параметрами: гр = 60 МГц, Iкmax = 10 мА, UКЕmax = 30 В, Pкmax = 150 мВт. p>. Вибравши робочу точку транзистора по вхідних і вихідних характеристиках транзистора отримаємо, що Iк0 = 3,5 мА, UКЕ0 = 2,5 В, Iб0 = 0,25 мА, Uбо = 0,77 В, тоді:
.
. Приймемо струм дільника Iд = 6Iб0 = 1,5 мА
В В
Коефіцієнт посилення по напрузі такого каскаду КU В»0,95.
. Розрахуємо ємність перехідного конденсатора:
.
Балансні (диференціальні) підсилювачі
Розрахувати ДУ на біполярних транзисторах з ГСТ, несиметричним входом і виходом. ЕРС вхідного сигналу Еr = 1,2 мВ, опір Rr = 1,6 Ом. необхідний коефіцієнт посилення КUд = 15, опір Rвх Ві 47 кому.
Рішення
. Для забезпечення малого дрейфу ДУ вибираємо транзистори КТ312А, що мають малий тепловий струм і досить високий коефіцієнт b. Допустима напруга Uке max ВЈ 15 В. Отже, ЕК1 = ЕК2 ВЈ 7,5 В. Амплітуда вихідної напруги U вих = KUдEr = 15 Г— 1,2 = 18 мВ, тоді приймемо ЕК1 = ЕК2 = 7 В. Менші значення Ек ускладнюють побудову ГСТ .
. Вибираємо для транзисторів Т1 і Т2 робочу точку з Uке0 = 3 В, Iк0 = 1 мА, Uбе0 = 0,45 В. Тоді номінал резистора Rк становить
В
У вибраному режимі h11е = 2 кОм, b = 40, тоді
В
Приймемо R е = 1,2 кОм, тоді вх.д = 2 [h 11е + 0,5 R е (35 + 1)] = 47,2 кОм.
Приймемо Rб = Rr = 1,6 Ом, тоді:
В
Отримали, що КU і Rвх задовольняють умові.
. Розрахуємо ГСТ, для чого спочатку визначимо потенціал колектора транзистора Т3 щодо загальної шини:
к3 = - (Iб01Rr + Uбе01 + Iк01) = - 1,7 В.
Отже, падіння напруги на транзисторі Т3 і резистори R3 складе ЕК2 - Uк3 = 7 - 1,7 = 5,3 В.
Виберемо потенціал бази транзистора Т3: Uбе = - 4,5 В, Uкб3 В»4 В. Тоді падіння напруги U на резисторі R4 і діод Д:
= ЕК2 - Uбе = 7 - 4,5 = 2,5 ВR3 = U - Uбе03 = 2,5 - 0,5 = 2 В.
Т.к. при Iк03 = Iк01 + Iк02 = 2 мА, Uбе03 = 0,5 В.
Тоді опір резистора R3:
3 = UR3/Iк03 = 2/2 = 1 кОм.
Виберемо струм дільника R4, R5, рівним Iк03 = 2 мА. Тоді
5 = (ЕК2-U)/Iдел = 2,25 кОм.
Приймемо як діода транзистор КТ312А в діодному включенні, при Iе = 2мА величина U д = Uбе0 = 0,5 В і тому
В
У підсумку маємо: к1 і RК2 - МЛТ - 0,25 - 3,9 кОм 5%. Е1 і Rе2 - МЛТ - 0,25 - 620 Ом 5% .3 і R4 - МЛТ - 0,25 - 1 кОм 5% 5 - МЛТ - 0,25 - 2,2 кОм 5% .6 - МОН - 0,25 - 1,6 Ом 5%.
1 , С
