о позначення? N - приріст показника заломлення серцевини щодо оболонки.
Таблиця 2 - Характеристики хвилеводних шарів, отриманих методом іонного обміну
Іон? n Товщина шару, мкмОптіческіе втрати, дБ / смAg +0.150 < 0.2Tl +0.1 ... 0.212 < 0.1Cs +0.0480.2 Rb +0.015 ... 0.02150.1
В даний час розроблені нові типи стекол спеціально для технології іонного обміну. Такі скла можуть мати як силікатну, так і германатную, або фосфатну основу. У таблиці 3 перераховані деякі типи комерційних стекол, умови іонного обміну і приведені величини зміни показника заломлення в сформованих хвилеводних структурах.
Таблиця 3 - Скло для іонного обміну та технологічні режими його проведення
Марка скла (сотав) РасплавТемпература, ОСДлітельность, ч? n · 104 K8KNO3350656RbNO35006198ВК7KNO34001070GNS(GeO2-Nb2O5-SiO2-Na2O)KNO34903120BGG35AgNO336011200AGP(Al2O3-GeO2-P2O5-Na2O-Cs2O)KNO345012160
Щоб уникнути великих втрат іони срібла заглиблюють в підкладку. Для цієї мети до скляній підкладці, вміщеній в розплав металевої солі NaNO3, прикладається зовнішнє електричне поле. Це змушує іони срібла занурюватися в підкладку, а в поверхневому шарі будуть іони натрію.
З одного боку, заглиблення хвилеводу (занурення хвилеводу в скляну підкладку) значно знижує оптичні втрати світла в хвилеводі, обумовлені шорсткістю поверхні, хвилевід не стосується поверхні підкладки, а, отже, невеликі подряпини і дефекти підкладки не призводять до розсіювання світла.
З іншого боку, при заглибленні хвилевід набуває круглу форму поперечного перерізу і стає симетричним, оскільки оточений з усіх боків склом, приблизно як серцевина оптичного волокна оболонкою.
Крім того, при заглибленні хвилеводу електростімулірованной міграцією іонів зменшується колоїдна забарвлення хвилеводів, виготовлених шляхом впровадження іонів срібла.
Таким чином, якщо підібрати технологічні режими виготовлення й заглиблення хвилеводів, то вони можуть бути зістиковано з оптичними волокнами практично без втрат [3].
1.2 Технологія виготовлення елементів інтегральної оптики «оксид кремнію на кремній» ( silica-on-silicon )
«Оксид кремнію на кремнії» - це сучасна перспективна технологія побудови інтегральної оптики. Вона має на меті заміни більш ранніх технологій виробництва. Це призводить до:
здешевленню виробничого процесу і можливість сумісності з мікроелектронікою заснованої на кремнії;
здешевленню з'єднання одномодового оптичного волокна, зменшення втрат в з'єднанні;
створення безлічі різних пасивних інтегрально-оптичних компонентів на одній підкладці;
можливість створення низькошвидкісних перемикачів, заснованих на термо-оптичному ефекті;
гібридної інтеграції з джерелами оптичного випромінювання;
знаходиться в стадії розробки можливість створення активних компонентів, таких як підсилювачі.
Основний матеріал для «silica-on-silicon» це діоксид кремнію (SiO2) у якого показник заломлення 1,458 для світла з довжиною хвилі 0,633 мкм. Показник заломлення змін...
