ify"> і при U u=10 В.
Для забезпечення необхідного діапазону приймемо U to =1,72 В, відповідно an = 0,6 * 10 - 7 м.
У підсумку із запропонованих схем, вибираємо схему:
2.3 Визначення геометричних розмірів польового транзистора Шотки
За допомогою пакета PSPICE отримані геометричні розміри польового транзистора з затвором Шоттки, який є основним елементом підсилювача. Кількість паралельних структур (затворів, витоків, стоків) в даному транзисторі десять. Це дозволяє досягти досить великого посилення на високих частотах.
Усі розміри транзистора занесені в таблицю 2.1.
Рис.2.2 - Схематичне зображення транзистора Шотки
Таблиця 2.1 - Геометричні розміри польового транзистора з затвором Шоттки.
ПараметриЗначенія, мкмТолщіна пленоктолщіна металізації затвора Hmg1.2толщіна металізації витоку Hms1.4толщіна металізації стоку Hmd1.4Полупроводніковая структуратолщіна епітаксіального N - шару an0.1толщіна каналу під затвором ak0.06толщіна епітаксіального N + - шару an +0.2 Планарні размеришіріна затвора (довжина пальця затвора) W25дліна затвора (ширина пальця затвора) L0.2шіріна пальців витоку Ls20шіріна пальців стоку Ld20Расстояніярасстояніе від краю затвора до краю витоку Lsg2расстояніе від краю затвора до краю стоку Ldg2расстояніе від краю витоку до лунки затвора Lsn1.75расстояніе від краю стоку до лунки затвора Ldn1.75 3. Функціональне проектування підсилювача
3.1 Отримання схеми електричної принципової
На основі результатів розрахунку по постійному струму, в середовищі програми PROBE, побудували сімейство вихідних характеристик Id (Vd) в межах від нуля до напруги джерела 0 < Vd < V 0 при варіації напруги на затворі Vto < Vg < 0 В.
За побудованим графікам, визначили максимальне значення навантажувального опору R max=12 кОм, I=0.8 мкА, U=10 В.
Визначте низкочастотное значення параметра Y21 в режимі насичення при Vg=Vt0 / 2 . Vto / 2=1,72 В. Вибираємо дві сусідні характеристики, наприклад, при Vg=0,85 В і Vg=1,75 В. На ділянці насичення визначаємо Id (Vg=0,85 У ) =97 мА і Id (Vg=1,75 У )=72 мА. Даємо оцінку Y21=(51 - 42) / 0.1=90 Див
Висновок: при зміні параметрів R1 - не впливає на параметри, R4 - при збільшенні параметрів, збільшується шум. При зменшенні, кількість шумів, зменшується. R2 - збільшуємо, зростає напруга на виході.
Отримали такі значення елементів схеми:
R1=100 Ом; R2=200 Ом; R3=70 Ом; R4=20 Ом; RG=60 Ом; C3=5 * е - 9 Ф.
За допомогою пакета PSPICE отримаємо двохкаскадний підсилювач, що відповідає заданим вимогам. У результаті отримана схема підсилювача, представлена ...
