иповому режимі мА, В.
З таблиці знаходимо S - параметри транзистора (на частоті ГГц):
,,,
,,,
Перевіряємо виконання умов:
;
;
;
;
Оскільки, транзистор знаходиться в області ОПУ. Для переведення його в область ОБУ використовуємо стабілізуючий опір:
Знаходимо величину стабілізуючого опору:
Ом
Перерахуємо S - параметри транзистора з урахуванням
Попередньо знаходимо:
;
Перелічені S - параметри транзистора рівні:
Розрахуємо транзисторний підсилювач в режимі екстремального посилення. Коефіцієнт посилення транзисторного підсилювача по потужності дорівнює:
Перед коренем узятий знак мінус оскільки транзистор знаходиться в режимі ОБУ.
Розрахований коефіцієнт посилення Kp досягається при двосторонньому погодженні на вході і виході транзистора.
Розрахунок вхідного і вихідного опору транзистора
Для розрахунку вхідного і вихідного опорів транзистора, знайдемо попередньо коефіцієнти відбиття на вході і виході:
де і знайдемо з виразів:
При розрахунку цих виразів використані наступні формули:
де
де
де
Остаточно знаходимо:
Отже, вхідний комплексний опір транзистора носить ємнісний характер
де Ом, а Ом
Вихідна комплексний опір транзистора носить індуктивний характер
де Ом, а Ом.
Розрахунок ланцюгів узгодження
Розрахуємо ланцюга узгодження вхідного опору транзистора з підвідної мікрополоскової лінією з хвильовим опором Ом на сіталлс КП с, мм.
Двухшлейфовое узгодження на вході.
Перерахуємо вхідний опором транзистора у вхідні провідність
мСм
Активну складову вхідного опору (провідності) транзистора узгодимо з хвильовим опором лінії підведення Ом за допомогою четвертьволного трансформатора (послідовного шлейфу) з параметрами: довжина шлейфу
де см;
см
см
хвильовий опір:
Ом
Знаходимо ширину смужки
; мм
Реактивну складову вхідного опору (провідності) транзистора ємнісного характеру компенсуємо паралельним короткозамкненим шлейфом, вхідний опір якого має носити індуктивний характер (див. рис.)
Довжина шлейфу:
см
де Ом;
Ом
Ширина смужки шлейфу дорівнює
; мм
Розрахуємо ланцюга узгодження вихідного опору транзистора з мікрополоскової лінією з хвильовим опором Ом на ситалл КП с; мм.
Розглянемо двухшлейфовое погодження на виході.
Перерахуємо вихідний опір транзистора в вихідну провідність
Активну складову вихідного опору (провідності) транзистора узгодимо з хвильовим опором МПЛ Ом за допомогою четвертьволнового трансформатора (послідовного шлейфу) з параметрами: довжина шлейфу
см
хвильовий опір:
Ом
радіолокаційний підсилювач фільтр ...
