Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Розробка та виготовлення лабораторного стенду з вивчення вольтамперних характеристик напівпровідникових діодів

Реферат Розробка та виготовлення лабораторного стенду з вивчення вольтамперних характеристик напівпровідникових діодів





ремнієвих діодів? 1000 ... 1500В.

Випрямні діоди застосовуються для випрямлення змінного струму (перетворення змінного струму в постійний); використовуються в схемах керування і комутації для обмеження паразитних викидів напруг, як елементи електричної розв'язки ланцюгів тощо

У ряді потужних перетворювальних установок вимоги до середнього значення прямого струму, зворотної напруги перевищують номінальне значення параметрів існуючих діодів. У цих випадках завдання вирішується паралельним або послідовним з'єднанням діодів.

Паралельне з'єднання діодів застосовують у тому випадку, коли потрібно отримати прямий струм, більший граничного струму одного діода. Але якщо діоди одного типу просто з'єднати паралельно, то внаслідок неспівпадання прямих гілок ВАХ вони виявляться різному навантаженими і, в деяких прямий струм буде більше граничного.



Малюнок 3.4 - Паралельне з'єднання випрямних діодів


Для вирівнювання струмів використовують діоди з малим розходженням прямих гілок ВАХ (виробляють їх підбір) або послідовно з діодами включають зрівняльні резистори з опором в одиниці Ом. Іноді включають додаткові резистори (рис.3.4, в) з опором, у кілька разів більшим, ніж пряме опір діодів, для того щоб струм в кожному діоді визначався головним чином опором Rд, тобто Rд >> Rпр вд. Величина Rд складає сотні Ом.

Послідовне з'єднання діодів застосовують для збільшення сумарного допустимої зворотної напруги. При впливі зворотної напруги через діоди, включені послідовно, протікає однаковий зворотний струм Iобр. проте зважаючи відмінності зворотних гілок ВАХ загальну напругу розподілятиметься по диодам нерівномірно. До диоду, у якого зворотна гілка ВАХ йде вище, буде докладено більшу напругу. Воно може виявитися вище граничного, що спричинить пробій діодів.


Малюнок 3.5 - Послідовне з'єднання випрямних діодів


Для того, щоб зворотна напруга розподілялося рівномірно між діодами незалежно від їх зворотних опорів, застосовують шунтування діодів резисторами. Опору Rш резисторів повинні бути однакові і значно менше найменшого з зворотних опорів діодів Rш << Rобр вд, щоб струм, що протікає через резистор Rш, був на порядок більше зворотного струму діодів.


1.2 Стабілітрони


Напівпровідниковий стабілітрон - це напівпровідниковий діод, напруга на якому в області електричного пробою слабо залежить від струму і який використовується для стабілізації напруги.

У напівпровідникових стабілітронах використовується властивість незначної зміни зворотної напруги на р-n - переході при електричному (лавинному або тунельному) пробої. Це пов'язано з тим, що невелике збільшення напруги на р-n - перехід в режимі електричного пробою викликає більш інтенсивну генерацію носіїв заряду і значне збільшення зворотного струму.

Низьковольтні стабілітрони виготовляють на основі сильнолегованого (низкоомного) матеріалу. У цьому випадку утворюється вузький площинний перехід, в якому при порівняно низьких зворотних напругах (менше 6В) виникає тунельний електричний пробій. Високовольтні стабілітрони виготовляють на основі слаболегірованних (високоомного) матеріалу. Тому їх принцип дії пов'язаний з лавинним електричним пробоєм.

Основні параметри стабілітронів:

· напруга стабілізації...


Назад | сторінка 4 з 11 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Дослідження вольтамперних характеристик діодів
  • Реферат на тему: Дослідження вольтамперних характеристик діодів і транзисторів
  • Реферат на тему: Дослідження характеристик діодів і тиристорів
  • Реферат на тему: Характеристики діодів, конструкції і особливості застосування
  • Реферат на тему: Вплив температури на спектральні і електричні характеристики світловипромін ...