Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Технологія та техніка виготовлення бескорпусной інтегральної мікросхеми

Реферат Технологія та техніка виготовлення бескорпусной інтегральної мікросхеми





0 Ом, при цьому довжина резистора не повинна бути менше 100 мкм.

. Мінімально допустима ширина плівкових резисторів становить 100 мкм при масочний методі і фотолітографії і 50 мкм при танталовой технології.

. Нижня обкладка конденсатора повинна виступати за край верхньої обкладки не менше ніж на 200 мкм, діелектрик повинен виступати за край нижньої обкладки не менше ніж на 100 мкм (виняток становлять конденсатори, утворені перетином двох смужок).

. Мінімально допустима ширина плівкових провідників становить 100 мкм при масочний методі і 50 мкм при фотолітографії і танталовой технології.

. Мінімально допустима відстань між плівковими елементами, розташованими в різних шарах, становить 200 мкм при масочний і суміщеному методах і 100 мкм при фотолітографії і танталовой технології.

. Мінімально допустимі розміри контактних майданчиків складають: при приварюванні гнучких висновків 200? 150 мкм, для припайки 400? 400 мкм.

. Не рекомендується проектувати плівкові резистори з числом квадратів менше 0,1 і конденсатори з площами менше 0,5? 0,5 ??мм і сумарною площею більше 2 см.


2. Розробка комутаційної схеми з'єднань


Нижчеприведені перетворення вихідної електричної схеми ІМС і схематичний план розміщення елементів і з'єднань між ними на підкладці ІМС на рис. 2.1 дозволяють:

спростити конфігурацію електричної схеми для зменшення числа перетинів вигинів, отримання прямих ліній;

виділити на реформованій схемою плівкові і навісні елементи;

забезпечити електричну схему внутрішніми і зовнішніми контактними майданчиками;

розташувати елементи та сполуки з урахуванням рівномірного розподілу потужності розсіювання;

розташувати контактні площадки рівномірно на поверхні підкладки з урахуванням найкоротшого проходження електричних сигналів з метою зменшення їх спотворень.


Рис. 2.1


3. Розрахунок тонкоплівкових елементів мікроскладення


.1 Розрахунок тонкоплівкових резисторів


Конструктивно плівковий резистор являє собою резистивную плівку, нанесену на відповідну підкладку і зістиковану з контактними майданчиками. Вихідними даними для розрахунку тонкоплівкових резисторів є схемотехнічні дані і дані за матеріалами (див. табл.1.1.1, 1.2.1 ... 1.2.4).

Мета розрахунку - визначення геометричних розмірів і форми тонкоплівкових резисторів, що забезпечують отримання резисторів з відтворюваними і стабільними параметрами.

Проводиться розрахунок коефіцієнта форми К ф для визначення ступеня складності геометричної конфігурації резисторів. Величина К ф розраховується за формулою:



Для R1:

Для R2:

Для R3:

Так як у першого резистора, то здійснюється розрахунок резистора прямокутної конфігурації (рис. 3.1.1):


Рис.3.1.1


Так як у другого і третього резисторів, то здійснюється розрахунок резистора форми типу «меандр» (рис. 3.1.2):


Ріс.3.1.2



де:

Pi - потужність розсіювання резистора (7 мВт);

...


Назад | сторінка 4 з 15 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Розрахунок тонкоплівкових елементів (резистора і конденсатора)
  • Реферат на тему: Технологія виготовлення дифузійних резисторів на основі кремнію
  • Реферат на тему: Конструкційні розрахунки резисторів
  • Реферат на тему: Пристрій, характеристика і види резисторів
  • Реферат на тему: Розробка конструкції та технологічного процесу виготовлення дифузійного рез ...