ку 30 В°.
. Ширина спектра випромінювання: 30-80 нм. p align="justify"> СІДи виробляються для роботи в трьох вікнах прозорості: 850, 1310 і 1550 нм. Однак, найчастіше вони використовуються в перших двох вікнах: 850 і 1310 нм. p align="justify"> СІДи істотно дешевші у виробництві, ніж ЛД; вони мають значно більший термін служби і не вимагають стабілізації температури при роботі в нормальних умовах. Що ж до умов світлопередачі (на стику СІД-волокно), то їх ефективність мала. Однак, з двох зазначених типів, СІД з випромінюючим зрізом значно більш ефективний, ніж СІД з випромінюючої поверхнею. Їх застосування зазвичай обмежена системами, що працюють на швидкості 155 Мбіт/с і нижче. p align="justify"> У ВОСП слабкий (0.1-1.0 км) протяжності, а також в низькошвидкісних (не більш 10 Мбіт/с) ВОСП як джерел світла нерідко використовуються напівпровідникові світлодіоди, що відрізняються порівняно малою потужністю випромінювання (до 0.5 мвт ) і великий (близько 20 - 30 нм) шириною спектра випромінювання. В основі дії світловипромінюючих напівпровідникових діодів (СІД) лежить спонтанна рекомбінація електронно-доручених пар в активній області гетеро-або квантоворозмірні напівпровідникової структури. p align="justify"> Діапазон робочих довжин хвиль сучасних СІД вельми широкий - від 0.4 до 1.6 мкм. СІД активно використовуються і в техніці систем індикації, в освітлювальної та сигнальної техніці; розроблені СІД з потужністю випромінювання до 30 мВт в діапазонах довжин хвиль близько 690, 590, 470 нм, а також різні типи СІД білого світіння. Ступінь поляризації вихідного випромінювання СІД близька до нуля. СІД зазвичай використовуються в лініях передачі сигналів на основі багатомодових волоконних світловодів з великим (десятки-сотні мкм) діаметром серцевини, в тому числі виготовлених з недорогих полімерних матеріалів. Зручно застосування СІД і у відкритих системах зв'язку з дальністю дії в межах 100 м, використовуваних на промислових об'єктах і будівельних майданчиках. Характерна особливість СІД, застосовуваних у системах зв'язку, - лінійна ват-амперна характеристика в широкому діапазоні струмів накачування, що робить їх досить зручними в аналогових оптоелектронних системах передачі та обробки сигналів. Основні переваги СІД - мала споживана електрична потужність, дешевизна і значна довговічність (близько 10 5 годин).
Табл. 4 Зведення основних параметрів СІД з випромінюючим зрізом
ПараметрЗначеніеВиходная потужність, яку випромінює в одномодове волокно (25 В° С) Числова апертура (NA) Час наростання/спаду імпульсу Ширина смуги випромінювання на рівні половини потужності Температурний коефіцієнт потужності Зміна центральної довжини хвилі з температурою Спектральне ушіреніе2-50 мкВт 0,1 - 0,6 3 нс (максимум) 30-60 нм 1,2%/В° С (типове) 0,5-0,8 нм/В° С 0,4 нм/В° С (типове)
Лазерні діоди (ЛД)
Напівпровідникові лазерні діоди, як правило, використовуються в якості джерел світла в високошвидкісних (> 155 Мбіт/с) системах телекомунікації. Вихідна потужність лазерних джерел для більшості виробників становить порядку +3 - +10 дБм (1-10 мВт). Лазерні діоди з більшою потужністю (напр., +20 дБм) також почали з'являтися на ринку. Зараз досить поставити на виході лазерного джерела оптичний підсилювач, наприклад, типу EDFA щоб збільшити його вихідну потужність до 500 мВт або вище. Однією з причин, які змушують виробників випускати лазери з більшою потужністю на виході, є широке використання систем DWDM (щільного мультиплексування по довжині хвилі). Лінійні компоненти систем DWDM мають високі вносяться втрати. Використання таких високих рівнів вихідної потужності разом з оптичними підсилювачами допомагає подолати втрати в системах DWDM. Лазери, що працюють на таких великих рівнях потужності, принесли ряд проблем, зокрема проблему впливу великої потужності на оптичні компоненти тракту передачі. Ізолятори, використовувані як універсального пристрою зниження світлової енергії, відображеної в бік такого лазерного джерела, мають поворотні втрати> 80 дБ, що дозволяє ефективно знижувати відображену потужність. br/>
Табл. 5 Порівняння характеристик СІД з характеристиками деяких типів лазерних діодів
ПараметрСІД типу ELEDFP (MLM) - лазерDFB-лазер із зовнішнім модуляторомЛазер типу VCSELДліна хвилі, нм850/13101310/15501550850/1310Мощность на стику з ОВ, дБм-10 ... -150,00,00,0 Спектральна ширина лінії, нм30-60 <3 <0,1 <3Максімальная швидкість, Гбіт/с <0,155> 2> 102Тіп волокнамногомодовоеодномодовоесо зрушенням дісперсіімногомодовое або одномодовоеЦенанизкаяумеренно високаявисокаяумереннаяMTBF, часи10 9 10 8 10 7
