/піксель) з мінімізованими динамічними ефектами спотворення. Оновлена ??технологія In-Flight Beam Tracing ™ для контролю та оптимізації робочих характеристик і параметрів електронного пучка в реальному часі. Виконання колони без механічно центрована елементів дозволяє зробити настроювання й регулювання електронно-оптичної системи повністю автоматичної. Унікальне живе стереоскопічне зображення, що використовує технологію 3D Beam Technology, відкриває дивовижні можливості для 3D досліджень мікро - і наносвіту.
Аналітичний потенціал: велика камера зразків і 5-ти осьовий повністю моторизований столик зразків. 11 інтерфейсних портів камери з оптимізованою аналітичної геометрією для детекторів EDX, WDX і EBSD. Чутливі детектори електронів з висококласними YAG кристалами. Широкий вибір детекторів і аксесуарів. Потужні турбомолекулярний і форвакуумний насоси забезпечують досягнення робочого вакууму за кілька хвилин 3D-вимірювання реконструйованої поверхні з використанням інтегрованого ПЗ. Автоматизований аналіз: ретельний і надійний автоматичний аналіз за допомогою швидкого і точно позиціонується столика, керованого комп'ютером. Комунікація з обладнанням сторонніх виробників здійснюється по протоколу TCP/IP, що дозволяє проводити автоматичний елементний аналіз, управління маніпуляторами і т.д. Розширення програмного забезпечення з автоматизації аналізу частинок, отримання зображення з великої площі зразка та морфологічного аналізу. Вбудована мова програмування (Python) відкриває можливості для створення власних процедур автоматизації. Зручне програмне забезпечення: багато користувачів інтерфейс, локалізований під багато мов, включаючи російську. Чотири рівні прав доступу для користувачів різного ступеня підготовки; режим EasySEM ™ для швидких рутинних досліджень. Обробка і зберігання зображень; створення звітів. Вбудована система самодіагностики для щоденної автоматичної сервісної перевірки. Можливість віддаленого доступу по мережі для управління, настройки та діагностики [11].
3. Перспективи вдосконалення скануючих електронних мікроскопів
Для сучасної електроніки характерний, що постійно прискорюється перехід до застосування матеріалів, елементної бази і комплектуючих виробів, що використовують властивості нанорозмірних структур. Дедалі більшого значення набувають вироби і пристрої, в яких не менше двох координатних вимірювань відповідають розмірам, на яких проявляються квантові ефекти. Зазвичай такі розміри становлять від одиниць до десятків нанометрів. Одним з напрямків отримання наноструктур є їх синтез в ході епітаксійного вирощування кристала. Яскравим прикладом може служити бурхливо розвивається в останні роки напрямок по вирощуванню напівпровідникових структур з масивами квантових точок raquo ;. Продемонстровані тут переваги і гнучкість методу молекулярно-пучкової епітаксії дозволили отримати приладові світловипромінюючі структури для поверхнево-випромінюючих лазерів. Різноманітність одержуваних нанооб'єктів з кожним днем ??зростає, причому частина нанооб'єктів несподівані, але надзвичайно затребувані. Так, розробка епітаксійного росту віскерів для тривимірних схем призвела до появи нового продукту - нановолокон, помітно збільшують міцність композиційних матеріалів, а також знаходять застосування при виробництві косметики. Другим напрямком отримання електронних нанооб'єктів є локальні методи впливу на планарную структуру, до яких, насамперед, відносяться зондові методи, а також фокусовий іонний пучок.
Зазначені методи забезпечують раніше недосяжні можливості програмованого локального впливу на кристал в нанорозмірному і навіть атомному масштабі в поєднанні з унікальною візуалізацією процесу впливу в масштабі до одиниць ангстрем. Апаратурне об'єднання двох зазначених підходів в єдиний приладовий комплекс дає справді унікальні можливості по розробці і створенню тривимірних нанооб'єктів. При цьому особливі вимоги повинні пред'являтися до системи позиціонування зразка. Вона повинна не тільки забезпечувати високу точність трьохкоординатної позиціонування, але й виконувати роль об'єднуючого (сопрягающего) фактора, тобто гарантувати обробку різними методами одного і того ж ділянки зразка. При дотриманні цих вимог можна забезпечити більш ефективну розробку традиційних приладів мікро - і оптоелектроніки: надшвидкодіючих транзисторів і мікросхем, діодів Ганна, ефективних світловипромінюючих діодів і лазерів і т.п., в основі роботи яких лежать квантові ефекти в шарах матеріалів з просторовою протяжністю в одиниці нанометрів.
Для ефективної розробки та виробництва перспективних приладів на основі наногетероструктур базовим інструментом дослідження, контролю та формування нанооб'єктів передбачалося зробити комплекс, що складається з технологічного модуля МПЕ і аналітико-технологічних модулів скануючого зондового мікроскопа і фок...
