м з ОЕ і низкоомной навантаженням.
У схемі каскаду з ОК резистор Rб утворює ланцюг зміщення з фіксацією струму спокою бази. Колектор транзистора підключений до джерела живлення Ек. У емітерний ланцюг введений резистор R е. Він забезпечує стабілізацію режиму роботи транзистора за рахунок ООС по току. Навантаження RH підключається до емітерний ланцюга через розділовий конденсатор Ср Останній виключає попадання постійної складової струму емітера в навантаження. При такому включенні прирощення вхідного і вихідного сигналів збігаються за знаком, каскад неинвертирующий.
При включенні в ланцюг транзистора із загальним колектором виникає найбільша вхідний опір, до сотень кіло, яке збільшується при зростанні опору навантаження.
Вихідний опір такого виду включення менше, ніж при інших, приймає значення в межах від десятих часток ома до тисячі і різко збільшується при зростанні внутрішнього опору джерела сигналу.
Коефіцієнт посилення напруги у разі включення транзистора із загальним колектором менше одиниці, коефіцієнт посилення струму трохи більше, ніж при включенні з загальним емітером, і сильно змінюється при зміні режиму роботи, температури і заміні транзисторів.
Вихідний сигнал цієї схеми збігається по фазі з вхідним сигналом.
Включення з загальним колектором застосовується в каскадах попереднього посилення за умови необхідності великого вхідного опору і малої вхідний ємності, а також в каскадах з великою вихідною потужністю, з малим вхідним опором або малими нелінійними спотвореннями.
У силу того, що вихід супроводжує току емітера, цю схему іноді називають емітерний повторювачем.
. 1.6 Диференціальний підсилювач
Розглянутий підсилювач за схемою з загальним емітером застосовується досить широко, але має ряд недоліків - мале вхідний і велику вихідну опору, залежність коефіцієнта підсилення від параметрів навантаження. Ці недоліки частково або повністю виключені в диференціальному підсилювачі.
Найпростіша схема диференціального каскаду наведена на ріс.14.3. Транзистори Т 1 і Т 2, а також резистори R к1 і R к2 утворюють міст. У діагональ 1 - 1 моста включені джерела живлення + Е к і -Е до, а також R е. У діагональ 2 - 2 включена навантаження - R H. Для нормальної роботи каскаду міст повинен бути строго збалансований, тобто R к1=R к2, а транзистори повинні мати однакові параметри, тобто повинні бути виготовлені за однією технологією, на одному кристалі. Тому диференціальні каскади виготовляють в заводських умовах у вигляді мікросхем.
Нехай. Струми транзисторів Т 1 і Т 2 створюють на опорі R е падіння напруги U R е, причому
.
Ця напруга є напругою зміщення для обох транзисторів. Так як параметри транзисторів однакові, то і струми транзисторів однакові тобто ; ;.Равние Колекторні струми створюють на рівних опорах R к1 і R к2 рівні падіння напруг U к1=U к2. Тому
.
Резистор R е утворює ланцюг ООС по току, забезпечує температурну стабілізацію і усуває дрейф нуля (відхилення U вих від нуля за рахунок нестабільності Е к).
Джерело сигналу може підключатися до входу одного з транзисторів (при цьому вхід іншого транзистора заземлюється), або між базами двох транзисторів. Розглянемо перший варіант включення. Нехай джерело сигналу е (t) включений до входу транзистора Т 1, тобто U вх1=е. Вхід транзистора Т 2 заземлений. Нехай також е gt; 0. Під впливом вхідного сигналу збільшуються: струм бази; струм колектора і струм емітера першого транзистора. Збільшення струму емітера DI Е1 викликає прирощення падіння напруги U R е (см.14.9), тобто напруга ООС на ділянці база-емітер транзистора Т 2 і зменшить струм I Е2 так, що
.
Отже
; ;.
Таким чином, завдяки ООС по току, дія сигналу на вхід одного з транзисторів викликає рівні по величині і протилежні по знаку зміни струмів і напруг в обох транзисторах.
При подачі сигналу на вхід транзистора Т 2 фізичні процеси каскаду не зміняться. Однак полярність вихідного сигналу буде протилежною входному.В зв'язку з цим вхід транзистора Т 1 називають прямим, а вхід транзистора Т 2 - інверсним. Крім того, до входів транзисторів можна підключати незалежні джерела сигналів U вх1 і U вх2. У цьому випадку вихідний сигнал (у класі А) може бути знайдений методом суперпозиції від впливу кожного з сигналів.
1.2 Практична частина
. 2.1 Огляд програм для дослідження і проектування елементів електроніки...
