Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Статьи » Розробка ОХОРОНИ пристрою - електронного замка

Реферат Розробка ОХОРОНИ пристрою - електронного замка





Пристрої вікорістані Такі транзистори:

транзистор КТ3129А;

біполярній транзистор КТ3130А9;

MOSFET-транзистор IRF540

Характеристики транзистора КТ3129А:

структура p-n-p;

максимально припустима (імпульсна) напруги колектор-база 50 В;

максимально припустима (імпульсніа) напруги колектор-емітер 50 В;

Максимально допустима Постійний (імпульсній) струм колектора 100 (200) мА;

максимально припустима Постійна розсіююча Потужність колектора без тепловідводу (з теплоотводом) 0.075 Вт;

статичність коефіцієнт передачі Струму біполярного транзистора в схемі з загально емітером 30-120;

зворотнього струм колектора lt;=1 мкА;

гранична частота коефіцієнта передачі Струму в схемі з загально емітером= gt; 200 МГц.

Параметри біполярного транзистора КТ3130А9 (рис. 1.10):


Рис. 1.10 - Схема біполярного транзистора КТ3130А9


B1-B2/Ік/мА Статичний коефіцієнт передачі Струму: 100-250/2;

Fт/МГц гранична частота коефіцієнта передачі Струму: 150;

Cк/Uк, пф/У ємність Колекторная переходу (Cк) i напряжение на колекторі (Uк), при якому вона вимірюється: 12/5;

Uке/(Ік/Іб), В/(мА/мА) напряжение насічення колектор-емітер (Uке) біполярного транзистора при заданому струмі колектора (Ік) i заданому струмі бази (Іб): 0.2 ( 10/1);

MOSFET-транзистор IRF540 (рис. 1.11)


Рис. 1.11 - Цоколівка транзистора IRF540


Характеристики транзистора IRF540:

корпус: TO - 220AB;

напряжение пробою СТІК-вітік: 100 В;

максимальна напряжение затвора: 20 В.

Опис використаних діодів

Діод - електронний прилад з двома електрода, что пропускає електричний струм лишь в одному напрямі. Застосовується у радіотехніці, електроніці, енергетіці та в других Галузо, в основном для віпрямляння змінного електричного Струму, детектування, превращение та помножені частоти, а такоже для перемикання електричних Кіл [27].

У Пристрої Використовують Такі напівпровіднікові елементи:

світлодіод АЛ307Б;

діоді 1N4148;

діоді FR307;

стабілітрон BZV55-B5V6;

діодній міст KBU405.

світлодіод АЛ307Б

ЙОГО Зовнішній вигляд збережений на малюнку 1.12. Основні характеристики показані в табліці 1.2.

Рис. 1.12 - Зовнішній вигляд світло діода АЛ307Б


Таблиця 1.2 - Основні характеристики сітлодіода АЛ307Б

Колір світінняКолір корпусуДовжіна Хвилі, nmСіла світла, Min, Iv, mcdПрямій струм, If, mAПряма напряжение, max, Vf, VКут 2j, 50% I, degчервонійчервоній з діспергатором6550,9102,050

Віпрямні діоді

Напівпровіднікові діоді Використовують властівість односторонньої провідності pn переходу - контакту между напівпровіднікамі з різнім типами провідності, або между напівпровідніком и металом.

Напівпровіднікові діоді - очень Прості Пристрої. Крім ОЦІНКИ сили Струму діода, є трьох основні РЕЧІ, Які нужно знаті:

. Катод (сторона з Смуга)

. Анод (сторона без Смуги)

. Діод пропускає - від катода до анода (Не пропускає + ) и + від анода до катода (Не пропускає - ).

Діод 1N4148 (рис. 1.13).


Рис. 1.13 - Зовнішній вигляд діода 1N4148


Діод FR307 (рис. 1.14).


Рис. 1.14 - Зовнішній вигляд діода FR307


Стабілітрон BZV55-B5V6

Стабілітроном назівають напівпровідніковій діод, напряжение на зворотній гілці ВАХ которого в області електричного пробою слабо покладів від значення проходити Струму. У області пробою напряжение на стабілітроні лишь незначна змінюється при великих змінах Струму стабілізації. Така характеристика вікорістовується для Отримання стабільної напруги. Зовнішній вигляд стабілітрона BZV55-B5V6 показань на малюнку 1.15. Основні характеристики наведені в табліці 1.3.


Рис. 1.15 - Загальний вигляд стабілітрона BZV55-B5V6


Таблиця 1.3 - Основні характеристики стабілітрона BZV55-B5V6

PD, Вт...


Назад | сторінка 5 з 10 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Параметри біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Виготовлення біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Дослідження біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Дослідження біполярного транзистора МП-40А