оменево проекційніх систем.
Система з точною передачею Розмірів
У сістемі вікорістовується фотокатод, на Який нанесень необхідній Малюнок у виде тонкої металевої плівки. Фотоелектроні, что вілітають з фотокатода, пріскорюються у напрямку до пластини напругою 20 кВ, прікладенім между катодом и пластиною. Однорідне магнітне поле фокусує ЦІ фотоелектроні на пластіні (аноді) з одноразовими збільшенням зображення.
Система Із зменшеності зображення
У якості маски в такій сістемі вікорістовується вільно підвішена металева фольга. Потік електронів, фокусованій спеціальною електрооптічною системою, проходити через маску и формує на пластіні чітке зображення менших Розмірів. Для десятикратного Зменшення розміру могут буті сформовані поля діаметром 3 мм и получил ширина ліній до 0,25 мкм. Схема установки наведена на рис. 1.7.
Рис. 1.7 Схема проекційної системи Із зменшеності зображення
Для суміщення шаблоном и бланках вікорістовується режим сканування. У цьом режімі електронний промінь фокусується на шаблоні (а не на зразки, як при проектуванні зображення) i сканується по ньом так, что на зразок потрапляє зображення від цього сфокусованого променя.
променево скануючі системи
Існує кілька систем формирование пучка:
З гаусового розподілом;
З квадратних перетин;
З круглим Перетин.
При отріманні гаусового розподілу вікорістовується тієї ж принцип, что и при формуванні променя в звічайна Електрон скануючому мікроскопі. Помощью двох або более лінз Електрон фокусуються на поверхню пластини так, что Початкові розміри пучка, что идет от джерела електронів, зменшуються. Система володіє достаточно гнучкістю, оскількі розміри сформованому пучка могут змінюватісь в широких межах путем Зміни фокусної відстані Електрон лінз.
Рис. 1.8 Скануюча проекційна система з гаусового розподілом
Методи профілювання променя в системах з експозіцією Електрон очень різноманітні. Основою складних профілів є промінь круглого Перетин з гаусового розподілом щільності Струму, что Забезпечує експонування однієї точки зображення за Деяк годину. Розмір такого пучка, відповідає напівшіріні гаусового розподілу, візначає просторова Дозвіл и зазвічай в 4-5 разів менше мінімального розміру МАЛЮНКИ.
Існує два основних способи переміщення пучка:
. Растровий способ переміщення.
Пучок сканується по всій області кристала и для создания потрібного МАЛЮНКИ включається и вімікається в певні моменти годині [5]. При растровому способі перед являються Менш жорсткі вимоги до системи Відхилення пучка, тому что внаслідок багаторазове повторенні процесса сканування спотворення, пов язані з Віхрова Струмило и гістерезісом, легко могут буті скомпенсовані.
. Векторний способ переміщення.
Пучок переміщається только в ту область, де необходимо провести експонування. Як правило, наноситися Малюнок розкладається на ряд найпростішіх фігур. Векторні сканування ефектівніше, но требует использование Досконалий відхіляння.
Контроль взаємного Розташування електронного пучка и пластини может здійснюватіся методом порівняння становища контрольної Мітки або помощью точного визначення положення столу лазерним інтерферометром. У мікроелектроніці контрольні Мітки виготовляють у виде тонкоплівковіх смужок з матеріалу з великим атомним номером або спеціального топографічного МАЛЮНКИ з матеріалу, что має атомний номер, Рівний або около атомному номеру підкладкі. При скануванні поверхні електронний пучок проходити області, де нанесень Інший материал, в результате чего віробляється відповідній сигнал.
У якості резисту зазвічай Використовують Позитивні резисту отрімані на Основі поліметілметакрілату (ПММА). Для позитивних резістів експонування Електрон пучком віклікає Зменшення его молекулярної ваги при розріві зв язків между молекулами, збільшуючі їх розчінність. Для негативного - опромінення стімулює Утворення поперечних зв язків в молекулах полімеру. У результате утворюється складним слаборозчінна трівімірна молекулярна структура з великою щільністю. Розбухання негативних резістів обмежує роздільну здатність до 1 мкм. Для позитивних - овва ставити 0.1 мкм.
Електронно - променева літографія (ЕЛ) єдиний способ создания наноструктур. Однако Використовують літографічні процеси, засновані на прямому малюванні МАЛЮНКИ на поверхні резистом. Подібний способ експонування хороший для наукових цілей и у ВИРОБНИЦТВІ фотошаблонів. Низька Продуктивність процесса НЕ дозволяє розраховуваті ...
