остійну часу на ВЧ з урахуванням дії зворотного зв'язку
Так як очікуване значення менше необхідного, отже, спотворення будуть не більше заданих.
Визначимо вхідні параметри транзистора.
Вхідний опір транзистора з ОЕ
Вхідний опір каскаду
Опір R12 було знайдено вище.
Вхідна динамічна ємність каскаду
,
Введемо в каскад паралельну ООСН, для пониження вхідного опору каскаду, що в свою чергу дозволить знизити ВЧ-спотворення вхідного каскаду.
Приймемо Rвх=200 Ом. Тоді знайдемо Rос з формули
тут К0 - коефіцієнт посилення з урахуванням дії охолонувши.
Величину ємності Ср ОС визначимо з умови XСрОС lt; lt; Rос на fН.
Приймемо ємкісне опір XC рівне 200 Ом. Тоді ємність буде рівна
Коефіцієнт посилення каскаду з урахуванням дії паралельної ООСН
Вихідний опір каскаду з урахуванням дії зворотного зв'язку
де - крутизна з урахуванням дії охолонувши.
Постійна часу каскаду в області ВЧ з урахуванням дії ОС.
Визначимо RЕКВ
,
Крутизна з урахуванням дії ОС
де - крутизна з урахуванням дії охолонувши.
Постійна часу каскаду при паралельній ООСН
Вхідна ємність каскаду з урахуванням дії паралельної ООСН
Відносний коефіцієнт посилення в області ВЧ
Тоді коефіцієнт спотворення каскаду в області ВЧ
Розрахуємо елементи фільтруючої ланцюга.
Опір R Ф
Ємність С Ф
3.3 Розрахунок вхідного каскаду
Вихідні дані: коефіцієнт підсилення.
Оцінимо частку частотних спотворень припадають на вхідний каскад і вхідну ланцюг, з урахуванням спотворень для кінцевого каскаду, каскаду з ОК і проміжного каскаду.
Частка частотних спотворень припадають на каскад
Максимально вихідна напруга каскаду
Опір і ємність навантаження
3.3.1 Вибір транзистора
Виберемо кремнієвий біполярний НВЧ транзистор малої потужності типу npn КТ382БМ, характеристики якого вказані в Додатку В.
3.3.2 Розрахунок необхідного режиму транзистора
Електрична схема вхідного каскаду представлена ??на малюнку 4.3.
Малюнок 4.2 - Вхідний каскад
Опір резистора R К вибираємо рівним 200 Ом.
Еквівалентнаопір
Струм колектора спокою з урахуванням запасу на термонестабільность
Напруга колектора
Постійна розсіює потужність транзистора
Знаходимо напруга на опорі RК
Напруга на опорі R е (ЄК=12В)
3.3.3 Розрахунок еквівалентних параметрів транзистора
Об'ємне опір бази
Струм бази
Струм емітера
Опір емітера
Дифузійна ємність емітера
Низькочастотні значення транзистора
3.3.4 Розрахунок ланцюгів живлення і термостабілізациі
Потенціал бази
Струм дільника
Опір R Е
Опору базового подільника
Розрахуємо термонестабільность каскаду. Тепловий опір перехід-середу (довідкові дані)
Температура колекторного переходу
Різниця між температурою переходу і довідковим значенням температури
Прирощення напруги база-емітер
Прирощення струму колектора спокою, викликане в результаті зсуву прохідний характеристики транзистора
Прирощення зворотного струму колектора
Прирощення струму колектора, викликане зміною зворотного струму колектора
Прирощення коефіцієнта передачі
Прирощення струму колектора, в...
