lign="justify"> За Кривого залежності діфузної довжина електронів и дірок в Германії від їх годині життя визначавши дифузной Довжину:
? n=100мкс;=0,4? 10-3 м;
? p=20мкс;=0,65? 10-3м;
За крівій залежності коефіцієнта відбівання від дожіні Хвилі падаючого випромінювання для Ge знаходжусь R?
? =1 мкм;
R? =0,45;
а по крівій залежності квантового виходим ?? внутрішнього фотоефекту в Ge від Довжина Хвилі випромінювання:
? =1 мкм;
?? =0.95.
Знайшовші відношення
l=0.8 мм, Ln=0,4? 10-3 м; Lp=0,65? 10-3м;
та скоріставшісь відповіднім малюнком обчіслімо Fp за формулою (24):
Знаючий Fp знаходжусь величину фотострум Iф:
ф=- 2? Fp? P? H? l1=- 2? 9,97? 10-2? 0,15? 5? 10-3? 0,8=- 1,90? 10-8 ( A)
знаходжусь величину темнового Струму Iт за формулою (36), знайшовші рівноважну концентрацію неосновних носіїв за малюнком, концентрація основних носіїв рівна:
? n=16 Ом см;=7? 1019м - 3;
? p=0,8 Ом см;=4? 1022 м - 3;
за формулою:
,
де
звідсі (A)
Знайдемо відношення Iф до Iт:
Б) коли довжина кожної області переходу рівна l2:
За Кривого залежності діфузної довжина електронів и дірок в Германії від їх годині життя визначавши дифузной Довжину, у даного випадка:
? n=100мкс;=0.4м;
? p=20мкс;=0.65м.
За крівій залежності коефіцієнта відбівання від дожіні Хвилі падаючого випромінювання для Ge знаходжусь R?
? =1мкм;
R?=0.45;
а по крівій залежності квантового виходим ?? внутрішнього фотоефекту в Ge від Довжина Хвилі випромінювання:
? =1мкм;
??=0.95.
Оскількі у даного випадка l2 gt; gt; L, можна Прийняти cth? 1; cosech? 0 и Рівняння (24) спроста:
Знаючий Fp знаходжусь величину фотострум Iф:
ф=- 2? Fp? P? H? l2=- 2? 2,28? 10-2? 0,15? 5? 10-3? 8=- 3,31? 10-7 (A)
.Знайдемо відношення Iф до Iт:
Завдання 2
Візначіті, Які розміри и Фізичні параметрі винен мати сплавного р-n-Перехід в Германії, щоб при освітленні переходу потоком випромінювання 100МВт/см2 з Довжину Хвилі l фотодіод дозволялося отріматі фотострум. Іф gt; gt; 1мA, Темновое струм в області насічення Іт? 10мA и максимальна робоча напряжение фотодіода Um? 50B.
Розраховуючі другові завдання даної курсової роботи треба врахуваті, что р-n-Перехід освітленій перпендикулярно и Такі параметри, як Le, Lh, Rl, hl, Dh, De, pn, nn, що не змінюються, а максимальна чутлівість Сl=0 , 54 А/Вт Тому для розрахунку Задачі 2 вікорістаємо следующие пункти:
За графіком візначаємо
Візначаємо Густин Струму:
Візначаємо інтегральну Потужність випромінювання:
Коефіцієнт розділення:
Висновок
У Цій курсовій работе розраховано основні параметри фотодіода з метою Отримання Бажанов параметрів вольтамперних характеристик, чутлівість фотодіода для випромінювання з Довжину Хвилі l, Темновое струм и відношення фотострум до темнового СТРУМУ, розміри и Фізичні параметри фотодіода, Який є одним з основних і базового приладів оптоелектронікі.
Я ознайомівся з основних параметрів фотодіодів та їхнімі вольт амперні характеристики, різнімі типами переходів при різніх способах освітлення, навчився аналізуваті залежності вольт амперних характеристик фотодіодів від фізичних параметрів напівпровідніка
Література
Алексєєва І. Н. На допомогу радіоаматори: Збірник. Вип. 109/І. Н. Алексєєва.- М.: Патріот, 2010. - 80 с.
Гуревич Б. М. Довідник по електроніці для молодого робітника: 4-е вид., перероб. і доп./Б. М. Гуревич, Н. С. Іваненко.- М.: Вища школа, 2007 - 272 с.
Гендін Г. С. Все про резисторах: довідкове видання. Вип. Тисяча двісті тридцять дев'ять/Г. С. Гендін.- М.: МРБ, 2010. - 192 с.
Брежнєва К. М. Транзистори для апаратури широкого застосування: довідник/К. М. Брежнєва, Є. І. Гантман, Т. І. Давидова [и др.], під ред. Б. Л. Перельмана.- М.: Радіо і зв'язок, 1981. - 656 с.
Забродін Ю. С. Промислова електроніка: підручник для вузів/Ю. С. Забродін.- М.: Вища школа, 2009 - 496 с.
Колонтаєвській Ю. П. Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія и практикум./Ю. П. Колонтаєвській, за ред. А. Г. Соскова.- К.: Каравела, 2003 - 364 с.
Бойко В. І. Схемотехніка Електрон систем: в 3 к./В. І. Бойко, А. М. Гуржій [та ін.].- К.: Вища школа, 2010. - К. ...
