и Lн=?.
регулююча характеристика поніжуючого ППН, побудовали на малий. 1.5 а. Так для побудова транзистора необходимо Деяк годину, то при поступовій зміні Неможливо отріматі крайні значення та Тому ДІАПАЗОН поступової Зміни зазвічай НЕ перевіщує 0,05 ... 0,95. Непрацюючі ділянки характеристики по краях діапазону регулювання (див. Малий. 1.5 а) показано пунктиром.
Мал. 1.5 регулюючі характеристики поніжуючого ППН (а), его системи управління (в) та превращение вместе с системою управління (г), а такоже діаграмі напруг, что опісують роботові модулятора (б)
Система управляння ППН винна Забезпечувати ввімкнення транзісторів з Завдання значень в залежності від напруги управління U упр. Для цього в сістемі управління має буті модулятор. На малий. 1.5б показано, як реалізується процес модуляції. Від генератора опорної пілкоподібної напруги подається пілоподібно напряжение з частотою, что назівається несучих. Опорний напряжение u оп урівнюється на вході компаратора з напругою управління U упр. На віході компаратора з являється імпульс необхідної трівалості Який после підсілення подається на входить силовий транзісторів. Напруга управління назівається моделюючою, и вона может змінюватіся за довільнім законом. При цьом пропорційно Йому буде змінюватісь.
Для модуляції могут буті вікорістані и Інші форми пілкоподібніх напруг, альо дана форма опорної напруги найбільш часто вікорістовується в ППН. При цьом транзистори вимикають переднім фронтом пілкоподібної напруги, тому така модуляція назівається модуляцією переднім фронтом.
Если при модуляції напряжение при навантаженні одне полярна (дів. малий. 1.5б), то така модуляція назівається одне полярних. Існує и двополярна модуляція, но вона буде розглядатісь пізніше.
регулююча характеристика системи управління (РХСУ) з урахуванням малий. 1.5 б віражається рівнянням
(1.13)
регулююча характеристика системи управління наведена на малий. 1.5 в.
регулююча характеристика Перетворювач вместе с системою управління (РХПРСУ) з урахуванням рівнянь (1.3) та (1.13) віражається рівнянням (1.14) i наведено приклад на малий. 1.5 г:
(1.14)
Вона такоже лінійна при невеликим струмі НАВАНТАЖЕННЯ.
На малий. 1.6 наведено прінціпіальну схему силових ланцюгів поніжуючого ППН. Конденсатор Сф на вході є обов язковим елементом перетворювачів, в якіх застосовуються ключі з повним управлінням (по ланцюгу управління примусового вимикають ключі). ВІН має двояке призначення.
Мал. 1.6 принципова схема силових ланцюгів поніжуючого ППН з урахуванням індуктівності з єднувальніх провідніків
По-перше, ВІН Забезпечує постійне споживання ЕНЕРГІЇ від джерела живлення даже при замкненому стані ключа. Якби НЕ Було Сф, то струм вживаний від джерела живлення, відповідав бі Струму колектора i до (дів малий. 1.1). Якби Сф =? то струм іd, вживаний від джерела живлення, становится постійнім (дів малий. 1.1б). Це зменшує Втрати в Джерелі живлення, так як смороду задаються діючім, а не середнім значень Струму. При усуненні пульсацій діюче значення постійного струм рівне Середнев.
по-іншому, между Джерела живлення, транзистором та діодом існують з єднувальні проводь, что мают ВЛАСНА індуктівність Lc. Вона показана на малий. 1.6 при виключення транзистора від перенапруження на індуктівності НАВАНТАЖЕННЯ L н захіщає діод, а от перенавантажень на індуктівності з єднувальніх проводів Ніщо НЕ захіщає. ЦІ перенавантаження могут буті доволі Великі. Например, если довжина з єднувального проводу рівна 1м, то его індуктівність примерно 1мкГн. Если при цьом за 1 мкс вімікається струм, Рівний 100 А, то перенавантаження становітіме 100 В (), даже если напряжение живлення рівна 10 В. таким чином, конденсатор Сф захіщає напівпровіднікові елєменти и має буті ввімкненій якомога Ближче до них, щоб Зменшити величину.
На малий. 1.7 а наведено часові діаграмі напруг та струмів з урахуванням НЕ ідеальності вентілів при пріпущенні CФ =?, Lн =?. На ділянці провідності транзистора напряжение на навантаженні Менша чем ідеальна на величину Падіння напруги на транзісторі Uк, а на ділянці провідності діода вона негативна и рівна падінню напруги на діоді U а.
Для Спрощення пріймемо, что
. (1.15)
Тоді з урахуванням того, что
(1.16)
І на ділянці провідності транзистора, Рівняння зовнішньої характеристики
(1.17)
Тут - напряже...
