стри (7 слів по 8 розрядів)
Таблиця 5 Перелік елементів
Поз. обозначениеНаименованиеКол.ПримечаниеDD1К555ЛА31микросхемаDD2, DD5К555ЛН12микросхемаDD3К555ИЕ51микросхемаDD4К555ИД71микросхемаDD6-DD12К555ИР237микросхемаVD1КД522Б1диодR1, R21 кОм (МЛТ - 0,125) 2резісторС147 нФ (К73-9) 1конденсатор
Пристрій паралельного введення слів в регістри працює таким чином: на вхід пристрою подаються імпульси введення з частотою 650 кГц. При кожному позитивному імпульсі в регістрі з номером, відповідним номеру імпульсу защелкивается інформаційне слово. Після запам'ятовування 7 слів в регістрах цикл повторюється (при наявності дозволяючого сигналу)
Діаграма напруг
Рис. 6 - Діаграма напруг
Розрахунок часу введення всіх слів в регістри.
Період повторення імпульсів введення T=1/f=1,54 мкс.
Час затримки одного такту лічильника tсч=17 нс.
Час затримки дешифратора tдш=41 нс.
Час затримки елемента І-НЕ tІНЕ=15 нс.
Час затримки елемента НЕ tНЕ=15 нс.
Час затримки регістра tRG=28 нс.
Час введення слова в регістр t1слово=tІНЕ + tсч + tдш + tНЕ + tRG=116 нс.
Час введення всіх слів в регістри tобщ=6Т + t1слово=9,356 мкс.
. 4 Завдання №4. Запам'ятовуючий пристрій (ЗУ) на ІМС оперативних ЗУ (ОЗУ)
Проектування пристрою ОЗУ (128 слів по 32 розряду)
Рис. 7 - Принципова електрична схема ОЗУ 128х32
Таблиця 6 Перелік елементів
Поз. обозначениеНаименованиеКол.ПримечаниеDD1К555ИД71микросхемаDD2-DD65К531РУ864микросхемаR11 кОм (МЛТ - 0,125) 1резістор
Таблиця 7 Таблиця роботи ЗУ
Список літератури
Напівпровідникові прилади: Транзистори./В.Л.Аронов та ін .; під заг. ред. Н. Н. Горюнова.-М .: Вища школа, 1985. - 904с., Іл.
Шило, В.Л. Популярні цифрові мікросхеми: Довідник/В.Л.Шіло.- М .: Радио и связь, 1989. - 352 с.
3. Хоровіц П., Хілл У. Мистецтво схемотехніки: У трьох томах. Т.1 - М .: Світ, 1993. - 413 с
4. Угрюмов Е. П. Цифрова схемотехніка.- СПб .: БХВ - Санкт Петербург, 2004. 528 с.
3. Партала, Олег Наумович. Цифрова електроніка.- СПб .: Наука і техніка, 2000. - 208с .: ил.
4. Мамонкин І.Г. Підсилювальні устройства.-М .: Связь, 1977. - 360 с.:Ил.
широкосмуговий підсилювач демультиплексирование спотворення
Додаток
Таблиця 8 Перелік елементів широкосмугового підсилювача
Поз. обозначениеНаименованиеКол.ПримечаниеVT1КТ315В1транзисторVT2КТ385А1транзисторVT3КТ624В1транзисторR112 кОм (МЛТ - 0,125) 1резісторR25,6 кОм (МЛТ - 0,125) 1резісторR32,7 кОм (МЛТ - 0,125) 1резісторR4960 Ом (МЛТ - 0,125) 1резісторR55 Ом (МЛТ - 0,125) 1резісторR6360 Ом (МЛТ - 0,125) 1резісторR71,5 кОм ( МЛТ - 0,125) 1резісторR8320 Ом (МЛТ - 0,125) 1резісторR9100 Ом (МЛТ - 0,125) 1резісторR10910 Ом (МЛТ - 0,125) 1резісторR11180 Ом (МЛТ - 0,125) 1резісторR1262 Ом (МЛТ - 0,5) 1резісторR139,1 Ом (МЛТ - 0, 5) 1резісторC11 мкФ (К73-19) 1конденсаторC233 мкФ (К53-8) 1конденсаторC310 пФ (КМ - 1) 1конденсаторC42,2 мкФ (К53-8) 1конденсаторC510 мкФ (К53-8) 1конденсаторC615 мкФ (К53-8) 1конденсаторС722 мкФ (К53-8) 1конденсатор
