лючення транзистора в якості вхідних і вихідних виступають струми і напруги на його різних електродах. Тому вигляд статичних характеристик залежить від схеми включення транзистора.
Для однозначного встановлення залежності між струмами і напругами транзистора досить мати два сімейства характеристик з чотирьох названих. Інші два можуть бути знайдені за допомогою перебудувань. На практиці найбільшого поширення набули вхідні та вихідні характеристики. Характеристики прямої передачі і зворотного зв'язку зазвичай виступають у ролі другорядних.
Статичні характеристики мають велике значення при аналізі роботи найрізноманітніших підсилюючих схем. По статичним характеристикам обираєте оптимальне положення робочої точки транзистора по постійному струму, обчислюються допустимі амплітуди коливань змінної напруги та струму на вході підсилювача, аналізується лінійність посилення і багато інших показників схеми. По вихідних характеристикам можна визначити, чи правильно узгоджений підсилювальний каскад з навантаженням, і передбачити поведінку цього каскаду при змінах характеру навантаження.
У реальних схемах транзисторних підсилювачів в якості вхідних струмів і напруг виступають напруги і струми на конкретних електродах. Наприклад, для схеми з ОЕ вхідним напругою буде напруга на ділянці емітер-база (), а вихідним струмом - струм колектора (I К ). Часто статичні характеристики транзисторних схем називають по імені електрода, струм якого ці характеристики відображають. Так, у наведеному вище випадку ми будемо говорити про вихідні колекторних характеристиках.
5. Статичні і диференціальні параметри транзисторів
Вище ми вже згадували про наявність у транзисторів гак званих малосигнальних параметрів. Тепер поговоримо про це докладніше. Такі параметри характеризують роботу транзистора в режимі посилення малих змінних струмів і напруг. Багато хто з них мають чітку фізичну інтерпретацію і безпосередньо присутні в фізичних еквівалентних схемах. Деякі ж допускають тільки чисто математичне тлумачення. Сенс більшості з цих параметрів зберігається і при переході до аналізу великих сигналів, але їх значення змінюються і стають залежними від множини не проявлялися при малих сигналах факторів.
Оскільки малосигнальні параметри - це параметри, що відображають роботу транзистора для змінних складових струмів і напруг, то в більшості випадків вони є диференціальними еквівалентами деяких інтегральних (статичних) величин, які характеризують роботу на постійному струмі. Звідси виникає другий, вживане іноді навіть частіше, назва малосигнальних параметрів - диференціальні параметри. Між двома цими термінами не існує однозначної еквівалентності, але майже завжди мова йде про одне й те ж.
В якості приклад можемо розглянути такий важливий параметр біполярного транзистора, як коефіцієнт передачі струму бази у схемі з ОЕ (). У цього параметра є ще одне часто надибуємо позначення, яке від його ролі в системі так званих h-параметрів прохідного лінійного чотириполюсника - або
Інтегральний (Статичний) коефіцієнт передачі знаходиться як відношення струмів (рис. 1):
В
В
p> Рис.1. До обчисленню інтегрального та диференціального коефіцієнта передачі струму бази
Якщо розглянути характеристику передачі транзистора, включеного за схемою з ОЕ (Рис. 2.1), то можна бачити, що в точці А, відповідної напруженням і струмів,,, статичний коефіцієнт передачі дорівнює:
В
Припустимо тепер, що на вхід транзистора поданий малий по амплітуді змінний сигнал. У цьому випадку значення струмів бази та колектора починають коливатися в межах (Рис. 1): і. Причому і, переходячи до диференціалом:
В
- диференційний коефіцієнт передачі струму бази у схемі з ОЕ в точці А передавальної характеристики (рис. 1);
- кут, утворений дотичній до лінії передавальної характеристики в точці А і віссю абсцис (tg =).
З рис.1. видно, що диференційний коефіцієнт передачі дещо відрізняється від інтегрального (статичного). Але на характеристиці передачі можна виділити ділянка (В, С), де їх значення близькі. Тобто, якщо ми розглядаємо роботу транзистора при деяких обмеженнях на напруги і струми в ньому (коректно задана робоча точка по постійному струму і мала амплітуда змінних сигналів), то ми можемо не розрізняти його статичні і диференціальні коефіцієнти передачі. Зауважимо також, що в загальному випадку ці коефіцієнти залежать від частоти змінного сигналу, його форми і амплітуди, температури навколишнього середовища і деяких інших факторів. Так що будь-які обчислення з ними є досить приблизними і відображають реальні процеси в транзисторах лише в загальних рисах. Те ж саме можна сказати і про всіх інших малосигнальних (Диференціальних) і статичних параметрах транзисторів. p> У Залежно від конкретної ситуації (аналізованої схеми, цілей аналізу, обмежень н...
