> В
мА/В
Результати обчислень зведемо в таблиці: ТБ
, В
0
1
2
3
4 .... 20
, мА/В
0
0,076
0,15
0,23
0,3
В
, В
0
1
2
10
11 .... 20
, мА/В
0
0,076
0,15
0,76
0,79
В
, В
0
1
2
16
17 .... 20
, мА/В
0
0,076
0,15
1,2
1,24
В
Рис.5. Крутизна характеристики передачі транзистора.
Як видно з графіка і розрахунків, крутизна характеристики передачі, обрана для розрахунку ширини каналу (на графіку позначена мА/В), забезпечується при В і В.
Висновки
У даній роботі був зроблений розрахунок основних параметрів МДП-транзистора з індукованим n-каналом, а також вибір і обгрунтування використання матеріалів і технологічних методів його виготовлення.
підсумкові значення основних параметрів: товщина діелектрика під затвором нм, мінімальна довжина каналу (критерій длінноканальності) мкм, концентрація домішок в підкладці см -3 , максимальна напруга на стоці В, порогове напруга В, ширина каналу мкм. За цими параметрами був зроблений розрахунок вихідний характеристики транзистора, вибір топології і побудова залежності крутизни ВАХ від напруг на стоці і затворі. br/>В
1. Топологія транзистора 2. Поперечний переріз транзистора
