Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Методички » Класифікація інтегральних мікросхем

Реферат Класифікація інтегральних мікросхем





ність;

В· висока електрична міцність;

В· високий опір ізоляції;

В· малі діелектричні втрати;

В· хороша адгезія;

В· технологічна сумісність.

Найбільш часто використовувані діелектричні матеріали представлені у таблиця 2.

Матеріали обкладок конденсатора повинні відповідати таким вимогам:

В· низький електричний опір, особливо для ВЧ конденсаторів;

В· мати гарну адгезію як до підкладки, так і до раніше сформованим плівкам;

В· володіти високу корозійну стійкість;

В· температурний коефіцієнт розширення повинен бути близький до температурних коефіцієнтах розширення підкладки і діелектрика.

На практиці найчастіше для виготовлення обкладок застосовують алюміній А99 з подслоем ванадію.


Таблиця 2

Характеристики матеріалів плівкових конденсаторів

Матеріал діелектрікаУдельная ємність, pF/cm 2 Спосіб нанесеніяМоноокісь кремнію (SiO) 5 000 Г· 10 000терміческійМоноокісь германію (GeO) 5 000 Г· 15 000терміческійДвуокісь кремнію (SiO 2 ) 20 000катодноеОкісь танталу (Ta 2 O 5 ) 50 000катодное

4. Плівкові індуктивні елементи


Плівкові індуктивні елементи широко поширені в аналогових ІМС. Конструкція індуктивних елементів являє собою спіралі (рис. 5). br/>В 

Для підвищення добротності спіралі провідники повинні бути великої товщини (30 Г· 100) m m. З цією метою проводять електрохімічне осадження міді або золота на тонкий подслой титану або ванадію.

Індуктивність круглої плівковою спіралі при Д н Ві 3,5 Д вн визначається за формулою:


; nH


де Д ср = 0,5 (Д н + Д вн ) - середній діаметр витка;

Д н - зовнішній діаметр;

Д вн - внутрішній діаметр;

h = nt + у - ширина спіралі (cm);

t - крок спіралі (cm);

в - ширина провідника (cm);

n - число витків.

Якщо


в = (30 Г· 50) m m

t = (50 Г· 100) m m, то


для квадратної спіралі на площі 25 mm 2 можна отримати індуктивність порядку:

= (250 Г· 500) nH.


У сучасних ГІС площа, займана однією спіраллю, зазвичай не перевищує 1 cm 2 . Максимальне число витків, яке можна розмістити на цій площі визначається роздільною здатністю технологічного процесу створення спіралі, зокрема в min . При в min В» 50 m m індуктивність становить 10 ...


Назад | сторінка 5 з 11 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Машинобудівні матеріали. Опір матеріалів
  • Реферат на тему: Протяжність лінії. Індуктивність проводів
  • Реферат на тему: Матеріали конденсаторів
  • Реферат на тему: Конструкція, основні параметри и характеристики підстроєчніх конденсаторів
  • Реферат на тему: Сонячні елементи на основі монокристалічного кремнію