ність;
В· висока електрична міцність;
В· високий опір ізоляції;
В· малі діелектричні втрати;
В· хороша адгезія;
В· технологічна сумісність.
Найбільш часто використовувані діелектричні матеріали представлені у таблиця 2.
Матеріали обкладок конденсатора повинні відповідати таким вимогам:
В· низький електричний опір, особливо для ВЧ конденсаторів;
В· мати гарну адгезію як до підкладки, так і до раніше сформованим плівкам;
В· володіти високу корозійну стійкість;
В· температурний коефіцієнт розширення повинен бути близький до температурних коефіцієнтах розширення підкладки і діелектрика.
На практиці найчастіше для виготовлення обкладок застосовують алюміній А99 з подслоем ванадію.
Таблиця 2
Характеристики матеріалів плівкових конденсаторів
Матеріал діелектрікаУдельная ємність, pF/cm 2 Спосіб нанесеніяМоноокісь кремнію (SiO) 5 000 Г· 10 000терміческійМоноокісь германію (GeO) 5 000 Г· 15 000терміческійДвуокісь кремнію (SiO 2 ) 20 000катодноеОкісь танталу (Ta 2 O 5 ) 50 000катодное
4. Плівкові індуктивні елементи
Плівкові індуктивні елементи широко поширені в аналогових ІМС. Конструкція індуктивних елементів являє собою спіралі (рис. 5). br/>В
Для підвищення добротності спіралі провідники повинні бути великої товщини (30 Г· 100) m m. З цією метою проводять електрохімічне осадження міді або золота на тонкий подслой титану або ванадію.
Індуктивність круглої плівковою спіралі при Д н Ві span> 3,5 Д вн визначається за формулою:
; nH
де Д ср = 0,5 (Д н + Д вн ) - середній діаметр витка;
Д н - зовнішній діаметр;
Д вн - внутрішній діаметр;
h = nt + у - ширина спіралі (cm);
t - крок спіралі (cm);
в - ширина провідника (cm);
n - число витків.
Якщо
в = (30 Г· 50) m span> m
t = (50 Г· 100) m span> m, то
для квадратної спіралі на площі 25 mm 2 можна отримати індуктивність порядку:
= (250 Г· 500) nH.
У сучасних ГІС площа, займана однією спіраллю, зазвичай не перевищує 1 cm 2 . Максимальне число витків, яке можна розмістити на цій площі визначається роздільною здатністю технологічного процесу створення спіралі, зокрема в min . При в min В» 50 m m індуктивність становить 10 ...