схемі з ОЕ,
h 21Еmax і
h 21Еmin - довідкові параметри: межі технологічного розкиду.
В інших випадках в довідниках вказується величина модуля коефіцієнта передачі струму на певній частоті f . Тоді можна скористатися виразом:
f Т в‰€ в”‚ h 21Е в”‚ * f .
За інших рівних умов вихідні транзистори бажано вибирати з більшим - h 21Е .
Максимально можлива віддається в навантаження потужність:
Струм спокою остаточного каскаду, струм спокою бази та амплітуда базового струму:
I k 5 = 0.05I mn ; I k 5 = 0.05 * 0,866 = 0,0433 (А)
I Bm 5 = 1.1 I mn /h 21Е ; I Bm 5 = 1,1 * 0,866/30 = 0,031 (А)
Коефіцієнт посилення і вхідний опір кінцевого каскаду:
До 3 = К ЕН = (1 + h 21Е ) (r е + R е + R н )
r 1 Б - можна знехтувати, R 11 = R е < b> = 0,8 (Ом)
r е = 0,026 ПЂ /I mn = 0,026 * 3,14/0,866 = 0,09 (Ом) - середня опір емітера для транзистора, що працює в режимі класу В.
До 3 = К ЕН = (1 +30) * 0,8/(1 +30) (0,09 +0,8 + 16) = 0,047
R вх.еп = r 1 Б + (1 + h 21Е ) (r е + R е + R н ) = 523 , 59 (Ом)
Амплітуда вхідного сигналу:
U мвв3 = U мн /К 3 = 13,856/0,047 = 294,8 (В)
Розрахунок площі радіатора при необхідності проводиться згідно з рекомендаціями наведеними в наступних розділах.
5) Розрахунок предоконечного каскаду УМЗЧ
Каскад на транзисторі VT2 в режимі класу А і його струм спокою повинен перевищувати амплітуду базового струму вихідного каскаду:
I k 2 = 1,3 I Bm 5 = 1,3 * 0,031 = 0,0403 (А)
Р к2 = 0,5 I k 2 Е 0 = 0,5 * 0,0403 * 33,5976 = 0,6769 (Вт)
Для предоконечного каскаду бажано вибрати транзистор з можливо великим коефіцієнтом передачі по струму, дотримуючись умов
Р до max ≥ 1.3 Р до , Р до max ≥ 1,3 * 1,781 = 2,3 (Вт)
U КЕmax ≥ 1.2Е 0 ; U КЕmax > = 1.2 * 33,5976 = 40,3171 (В)
I Kmax ≥ 1.2 I mn ; I Kmax ≥ 1.2 * 0,866 = 1,0392 (А)
f h 21К в‰€ f h 21Š≥ (3 ... 5) f в ; f h 21К в‰€ f h 21Š≥ (24 ... 40)
Знову, після проведеного ряду розрахунків, виробляю вибірку транзисторів VT2 і VT4
і за отриманими параметрами підходить транзистор ГТ402Д, h 21ЕVT 4 < b> = 30.
Вхідна ємність VT2 помітно шунтирует опір навантаження. З метою зменшення спотворень в області верхніх частот слід:
f h 21Š≥ (50 ... 100) f в
За інших рівних умов для розраховується каскаду треба вибрати транзистор з меншим вихідним опором з метою зменшення спотворень в області верхніх частот, виникають через велику вхідний ємності вихідного каскаду.
В якості термокомпенсирующих елемента використовується транзистор VT3, що працює в режимі емітерного повторювача. Можна використовувати малопотужний транзистор з підходящими частотними властивостями і найбільшим значенням параметра f h 21Е . Падіння напруги на ньому становить близько 1В, а розсіює потужність не перевищує часткою мілівати. Для цих цілей цілком підхо...
