іввідношень, справедливих для транзисторної складання або ключа, до співвідношень для різних перетворювальних пристроїв, необхідно відзначити два основних відмінності: не всі складові втрат пропорційні другого ступеня струму; не всі елементи силової частини можна представити опорами.
Складова потужності втрат, яка при заданому струмі навантаження постійна (частина потужності втрат у діодах, складених транзисторах, потужність в колах управління і пр.), елементарно враховується у вихідному рівнянні
В
Графічно це призводить до підйому лінії S Т (см.ріс.3) на величину S Т o Р 0 . При цьому всі раніше виявлені закономірності зберігаються і змінюються лише кількісно.
Представлення в моделі індуктивних елементів стає можливим, якщо в обсязі V 1 = S 1 h розміщується трансформатор одиничної потужності з опором омічних втрат R1. Паралельне з'єднання n таких трансформаторів при незмінному струмі навантаження призводить до зменшенню втрат в n разів. Якщо в обсязі V 1 = S 1 h розміщується конденсатор з опором втрат R1, то паралельне з'єднання n таких конденсаторів призводить до зменшення втрат у n разів. Паралельне з'єднання будь-яких елементів абсолютно не обов'язково розуміти в буквальному сенсі; необхідна лише еквівалентність параметрів.
Тому вихідна модель і основний параметр R 1 S 1 є досить узагальненими для того, щоб отримані висновки були корисні для оцінки методів мініатюризації різних класів перетворювальних пристроїв. До того ж не слід зводити всі проблеми ІВЕ до створення тільки конверторів, які складаються з різноманітних елементів. Для імпульсних регуляторів електродвигунів, пристроїв комутації і захисту, регуляторів струму в обмотках управління (порушення) модель на основі R 1 S 1 - елементів застосовна безпосередньо.
Необхідно звернути увагу на результати використання більш досконалої елементної бази при різних підходах до розвитку ІВЕ. Якщо прогрес параметрів елементної бази використовувати для збільшення Рн/V K , то при зменшенні площі корпусу ІВЕ будуть зростати всі теплові опору і зменшуватися ефективність радіатора. Виникне тупикова ситуація. br/>
Висновок
Якщо прогрес параметрів елементної бази, тобто зменшення R 1 S 1 використовувати для створення конструкцій, близьких до оптимальним, буде забезпечено безперервний збільшення реальної питомої потужності пристроїв
Рн/V t і підвищення їх ККД за відсутності теоретичної межі такого, вдосконаленню перетворювальних пристроїв.
Література
1. Конєв Ю.І. Деякі граничні можливості мініатюризації силових напівпровідникових пристроїв. - ЕТВА, 3. - М.: Радянське радіо, 1972. - С.3-16. p> 2. Ковев Ю.І. Енергетичні можливості мініатюризації силових напівпровідникових інтегральних пристроїв. - ЕТВА, № 4. - М.: Радянське радіо, 1973. - С.3-16. p> 3. Ковев Ю.І. Про мініатюризації вторинних джерел живлення. -ЕТВА, & 5. - М.: Радянське Рада, 1973. - С.З-І2. p> 4. Машуков Є.В., Конєв Ю.І. МДП-транзистори в ключових регуляторах потужності. - ЕТВА, А 6. - М.: Радянське радіо, 1974,-С.13-23. p> 5. Тодд П. Імпульсні джерела живлення стають системними компонентами. - Електроніка/Пер.с англ., - № 9-10. - М.: Мир, 1992. - С.75, 76. p> 6. Кашкаров А.П., Колдунов А.С. Оригінальні конструкції джерел живлення. - М., ДМК-Пресс, 2010 - 160 с. <В
