показано на малюнку:
Рис.4 Схема включення варактора
Зміна ємності варактора буде враховуватися другим відрізком резонатора. Його можна розрахувати як різницю між довжинами резонатора для верхньої та нижньої частот:. Т.к. отримане відстань занадто мало, що складно реалізувати, то можна до нього додати половину довжини хвилі, тоді.
.4 Розрахунок параметрів підсилювача
Виберемо підсилювач отражательного типу на ДГ 3А729. Його параметри наведені в таблиці 2:
Таблиця 2.
f, ГГцPном, ВтU0, ВR0, Ом18 - 260.15 - 0.31.80.3 - 1
Розрахуємо основні параметри підсилювача.
Одним з найважливіших параметрів підсилювача є резонансний коефіцієнт посилення, який визначається за наступною формулою
,
де - параметр регенерації, - повний опір діода; R - опір зовнішньої ланцюга.
Значення коефіцієнта посилення визначається, як видно з формули співвідношенням між параметрами діода і зовнішньої ланцюга, при цьому умова стійкості схеми забезпечується при a <1.
У даному випадку для визначення параметрів підсилювача задамося необхідним коефіцієнтом посилення, розрахуємо повний опір діода, а потім використовуючи ці величини знайдемо опір зовнішнього ланцюга
Вихідна потужність підсилювача повинна бути дорівнює за технічним завданням 300 мВт. Розрахункова потужність на виході неперебудовувані генератора. Покладемо, що за рахунок збільшення втрат при підключенні керуючого діода, що не ідеальності узгодження, загасання в довгих лініях, втрат у циркулятора потужність зменшиться в 2 рази. Тоді на вхід підсилювача буде подано. br/>
Приймемо:
Опір діода визначаємо, використовуючи той факт, що геометричні розміри напівпровідникової структури настільки малі, що практично в усьому НВЧ діапазоні вона може бути представлена ​​схемою на зосереджених елементах, вхідний опір якої визначається електронними процесами в діодному проміжку. При впливі на діод високочастотного електромагнітного поля (ЕМП) конструктивні елементи контуру створюють додаткові реактивні опору, тому повне опір діода визначають на підставі еквівалентної схеми діода. p> Повна еквівалентна схема діода, що враховує ЕМП, що утворюються при установці його в резонатор може бути представлена ​​у вигляді складної електричного кола з зосередженими L-і C-елементами, які залежать від розмірів і типу резонатора і пристрої кріплення діода. Проте в сантиметровому діапазоні практично у всіх випадках можна використовувати наближену еквівалентну схему, показану на малюнку 5, [2, с. 66]:
Рис. 5 Еквівалентна схема діода. br/>
де ПС - напівпровідникова структура;
Lпт - індуктивність виводу;
СПТ - ємність керамічної втулки між електродами;
Lp - індуктивність, обумовлена ​​струмами СВЧ, розтікаються по поверхні капелюшка корпусу від контакту її з резонатором.
<...
