ними виразами g S = N/S і g V = N/V, де N - кількість елементів, S і V - займані ними площа або обсяг відповідно. Кількість елементів визначається як N = N ІС * n е + n ЕРЕ , де N ІС - кількість ІС в пристрої, n е - кількість елементів в одній ІС (кристалі або в корпусі), n ЕРЕ - кількість навісних електрорадіоелементів в конструкції осередку, блоку, стійки. Щільність упаковки є головним показником рівня інтеграції конструктивів того чи іншого рівня. Так якщо для напівпровідникових ІС з об'ємом кристала в 1 мм 3 і кількістю елементів у ньому рівним 40 одиниць, g ІС = 40 * 10 3 ел/см 3 , то на рівні блоку цифрових РЕЗ g б = 40 ел/см 3 . Відбувається це за рахунок того, що кристали корпусіруются, далі корпусовані ІС рзмещаются на платі з відомим зазором і при компонуванні ФЯ в блок знову-таки з'являються додаткові зазори між пакетом ФЯ і внутрішніми стінками корпусу. Та й сам корпус має об'єм (обсяг стінок і лицьової панелі), в якому немає корисних (схемних) елементів. Інакше кажучи, при переході з одного рівня компонування на інший відбувається втрата (дезінтеграція) корисного об'єму. Як буде сказано нижче, коефіцієнт дезінтеграції визначається відношення сумарного обсягу до корисного обсягом. Для блоку цифрового типу він виражається як q V = V б /N ІС * V ІС , де V < sub> ІС - обсяг однієї мікросхеми (або бескорпусной, або корпусовані залежно від методу конструювання). Врахувавши це вираз, можна записати, що
g б = (N ІС * n е )/(q V * N ІС * V ІС ) = g ІС /q V , (2)
де g ІС = n е /V ІС - щільність упаковки елементів в ІС.
Як показано вище, в безкорпусних ІС цифрового типу малого ступеня інтеграції ця величина становить 40 тис.ел./См 3 . При установці безкорпусних ІС в корпус, наприклад IV типу, відбувається збільшення обсягу приблизно в 200 разів, а при установці корпусовані ІС на плату і далі компонуванні їх в обсязі корпусу ще в 5 разів, тобто сумарний коефіцієнт дезінтеграції складає вже 10 3 , при цьому і виходить g б = 40 ел/см 3 , що характерно для блоків III покоління РЕЗ цифрового типу.
З виразу (2) випливає, що конструювання цифрових пристроїв високої інтеграції вимагає від розробника не тільки застосування БІС і НВІС, але і досить компактною компонування. Для конструкцій аналогових ЕС, де не спостерігається чітко виражених регулярних структур активних елементів, де їх число стає порівнянним або навіть меншим, ніж число пасивних навісних ЕРЕ (зазвичай одну аналогову ІС "обрамляють" до 10 пасивних елементів: конденсаторів разом з котушками і фільт...
