тод обеспеченіяБаза Г : Г† 62Н7, Ra 1,25 ; Г† 62 , Ra 1,25; Г† 40Н9, Ra 1,25 ; міжосьові відстані 150 В± 0,05, 80 В± 0,01 ; непаралельність осей в межах 0,01 Тонке розточування на багатоцільовий верстаті з ЧПУ усіх отворів при нерухомому положенні заготовки (на одному установе) Торцеве биття пов-тей Г† 93/ Г† 62Н7 не більше 0,01 мм по відношенню до бази Г ; шорсткість торців Ra1, 25 Чистове фрезерування торцевою фрезою на одному установе з обробкою бази Г , або при одночасній обробки поверхні з допоміжною технологічною базою, використовуваної для базування при обробці пов-ти Г пази: 20Н9 ' 5 ; 18Н9 ' 4 ; Ra 2,5 ; непаралельність базі Г не більше 0,03.0,05 ммФрезерованіе кінцевий фрезою (схема базування така ж, як і при обробці пов-ти Г) Залежний позиційний допуск розташування 4-ох відп. Г† 6,6 в межах 0,2 мм на радіусСверленіе отворів на верстаті з ЧПК
2.3 Визначення технологічних баз
Питання про вибір технологічних баз для корпусних деталей є одним з ключових при проектуванні технологічного процесу, оскільки багато в чому визначає методи обробки і вживане обладнання.
У виду особливостей конструкції деталі та заготовки (складності, низької точності виливки і пр.) методи базування, і, таким чином, методи забезпечення точності вивірки і одержуваних на операціях розмірів будуть різні для чорнового етапу і чистового.
З причини того, що вихідна заготовка, яка надходить на першу операцію, має невисоку точність, значні простор...
